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龙图腾网获悉南京微盟电子有限公司申请的专利一种双倍数据速率线性稳压器的静态电流控制系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116501126B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211649902.9，技术领域涉及：G05F1/625；该发明授权一种双倍数据速率线性稳压器的静态电流控制系统是由涂再林;李梦玉;张洪俞设计研发完成，并于2022-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双倍数据速率线性稳压器的静态电流控制系统在说明书摘要公布了：本发明公开了一种一种双倍数据速率线性稳压器的静态电流控制系统，包括基准产生电路以及由反馈控制电路、误差放大电路和功率输出电路构成的空载功耗控制电路，基准产生电路产生的基准电压VREF输出给反馈控制电路，反馈控制电路将接收误差放大电路输出的控制信号与VREF比较后，输出给误差放大电路使误差放大电路输出的控制信号也发生了变化，该控制信号进而控制功率输出电路中上下功率管，通过调节基准产生电路产生的VREF，从而灵活调节系统空载功耗，同时兼顾低功耗和负载切换时的快速瞬态响应。

本发明授权一种双倍数据速率线性稳压器的静态电流控制系统在权利要求书中公布了：1.一种双倍数据速率线性稳压器的静态电流控制系统，其特征在于：包括基准产生电路和空载功耗控制电路； 基准产生电路包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、NMOS管MN1以及电流源I1和I2；PMOS管MP1的源极和衬底以及PMOS管MP2的源极和衬底均连接VDD，PMOS管MP1的栅极与PMOS管MP2的栅极互连并连接PMOS管MP1的漏极以及电流源I1和I2的输入端，PMOS管MP2的漏极连接NMOS管MN1的漏极和栅极并产生基准电压VREF，NMOS管MN1的源极和衬底以及电流源I1和I2的输出端均接地VSS； 空载功耗控制电路包括依次连接的反馈控制电路、误差放大电路和功率输出电路： 反馈控制电路包括PMOS管MP3~MP8以及NMOS管MN2和MN3，PMOS管MP3的栅极和PMOS管MP6的栅极均分别连接偏置电压VBIAS，PMOS管MP3的源极和衬底均分别连接VDD，PMOS管MP3的漏极连接PMOS管MP4的源极和PMOS管MP5的源极，PMOS管MP4的衬底和PMOS管MP5的源极衬底均连接VDD，PMOS管MP6的漏极连接PMOS管MP7的源极和PMOS管MP8的源极，PMOS管MP7的衬底和PMOS管MP8的衬底均连接VDD，PMOS管MP7的栅极与PMOS管MP5的栅极互连并连接基准产生电路输出的基准电压VREF，PMOS管MP7的漏极连接PMOS管MP5的漏极以及NMOS管MN2的漏极和栅极，PMOS管MP8的漏极连接PMOS管MP4的漏极以及NMOS管MN3的漏极和栅极，NMOS管MN2的源极和衬底以及NMOS管MN3的源极和衬底均接地VSS； 误差放大电路包括PMOS管MP9~MP13以及NMOS管MN4~MN9，PMOS管MP9的源极和衬底、PMOS管MP12的源极和衬底以及PMOS管MP13的源极和衬底均连接VDD，PMOS管MP9的栅极、PMOS管MP12的栅极以及PMOS管MP13的栅极均分别连接偏置电压VBIAS，PMOS管MP9的漏极连接PMOS管MP10的源极和PMOS管MP11的源极，PMOS管MP10的衬底和PMOS管MP11的衬底均连接VDD，PMOS管MP10的栅极连接VDD2，PMOS管MP10的漏极连接NMOS管MN4的漏极、NMOS管MN5的漏极和栅极以及NMOS管MN8的栅极，NMOS管MN8的漏极连接PMOS管MP12的漏极，NMOS管MN4的栅极连接NMOS管MN6的栅极和反馈控制电路中NMOS管MN3的漏极和栅极，PMOS管MP11的漏极连接NMOS管MN6的漏极、NMOS管MN7的漏极和栅极以及NMOS管MN9的栅极，NMOS管MN9的漏极连接PMOS管MP13的漏极，NMOS管MN4的源极和衬底、NMOS管MN5的源极和衬底、NMOS管MN6的源极和衬底、NMOS管MN7的源极和衬底、NMOS管MN8的源极和衬底以及NMOS管MN9的源极和衬底均接地VSS； 功率输出电路包括上功率NMOS管MN10和下功率NMOS管MN11以及电阻R1和R2，NMOS管MN10的漏极连接供电电源VIN，NMOS管MN10的源极和衬底连接NMOS管MN11的漏极和电阻R1的一端以及误差放大电路中PMOS管MP11的栅极，该连接端也是功率输出电路的输出端VOUT，NMOS管MN10的栅极连接电阻R1的另一端以及反馈控制电路中PMOS管MP4的栅极和误差放大中PMOS管MP12的漏极，NMOS管MN11的栅极连接电阻R2的一端以及反馈控制电路中PMOS管MP8的栅极和误差放大中PMOS管MP13的漏极，NMOS管MN10的源极和衬底连接电阻R2的另一端并接地VSS。

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