西安电子科技大学凌进中获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于掩膜相位调制的超分辨显微成像系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116520545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310480281.4，技术领域涉及：G02B21/06；该发明授权一种基于掩膜相位调制的超分辨显微成像系统是由凌进中;郭金坤;袁影;王昱程;王晓蕊;刘鑫设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于掩膜相位调制的超分辨显微成像系统在说明书摘要公布了：一种基于掩膜相位调制的超分辨显微成像系统，依次布置包括：用于产生单色平面波的照明光源；用于调制各相邻区域的相位的光学掩膜版；用于反射产生的单色平面波的成像样品；用于接收远场光强的显微物镜和筒镜；用于成像的CCD；不同于普通的光学显微镜，本发明中增加了可提升系统成像分辨率的光学掩膜，使得系统能够突破衍射极限，获得超分辨成像效果，且成像分辨率仅取决于掩膜版的单元尺寸；相较于其他超分辨成像技术，本发明无需逐点扫描成像，无需荧光染色，无需图像后处理，且与普通光学显微镜有很强的兼容性，具有操作简单，节约成本和效率高的特点。
本发明授权一种基于掩膜相位调制的超分辨显微成像系统在权利要求书中公布了：1.一种基于掩膜相位调制的超分辨显微成像系统，包括依次布置的用于产生单色平面波的照明光源6，用于反射产生的单色平面波的成像样品4，用于接收远场光强的显微物镜3和筒镜2，用于成像的CCD1，其特征在于，在照明光源6与成像样品4之间配置有用于调制各相邻区域的相位的光学掩膜版5；所述光学掩膜版5由基底7和与基底7相连接的突出8组成，所述基底7和突出8均为透明的电介质材料；所述光学掩膜版5的突出8厚度h与入射波长的关系为：h＝λ2n-1，其中n为光学掩膜版5的折射率；所述光学掩膜版5的突出8为周期性间隔排布，突出8结构的特征尺寸为百纳米量级。
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