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龙图腾网获悉武汉光迅科技股份有限公司申请的专利一种带补偿结构的激光器芯片载体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116565684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310651308.1，技术领域涉及：H01S5/02315；该发明授权一种带补偿结构的激光器芯片载体是由宋小平;刘成刚;湛红波设计研发完成，并于2023-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带补偿结构的激光器芯片载体在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带补偿结构的激光器芯片载体，载体包括第一载体层和第二载体层，第一载体层设置在第二载体层上；第一载体层的第一预设位置上设置有贴装区，贴装区用于贴装芯片；贴装区一端延伸出至少两个第一金属区，第一金属区延伸的末端设置有矩形金属区，便于对地平产生载体寄生电容；第一载体层上表面还设置有集成电阻和集成电容，第二载体层上表面第二预设位置设置有集成电感；激光器芯片的一极与集成电感的一端连接，形成串接关系；载体寄生电容的一端与集成电阻的一端连接，形成串接关系，集成电容的一端和集成电阻的另一端分别与集成电感的另一端连接，集成电容和载体寄生电容的另一端分别与激光器芯片另一极连接，形成补偿带宽的电路。

本发明授权一种带补偿结构的激光器芯片载体在权利要求书中公布了：1.一种带补偿结构的激光器芯片载体，其特征在于，包括第一载体层1和第二载体层2，其中，所述第一载体层1设置在所述第二载体层2上； 所述第一载体层1的上表面第一预设位置上设置有贴装区11，所述贴装区11用于贴装激光器芯片； 所述贴装区11的一端延伸出至少两个第一金属区12，所述第一金属区12延伸的末端设置有矩形金属区13，所述第二载体层2上设置有地平区21，以便于所述矩形金属区13对所述地平区21产生载体寄生电容3； 所述第一载体层1上表面还设置有集成电阻14和集成电容15，所述第二载体层2上表面第二预设位置设置有集成电感4； 所述激光器芯片的一极与所述集成电感4的一端连接，以便于将所述激光器芯片与所述集成电感4形成串接的电性互连关系；所述载体寄生电容3的一端与所述集成电阻14的一端连接，形成串接的电性互连关系，所述集成电容15的一端和所述集成电阻14的另一端分别与所述集成电感4的另一端电性连接，所述集成电容15的另一端和载体寄生电容3的另一端分别与所述激光器芯片的另一极电性连接，以形成补偿激光器芯片带宽的补偿电路； 其中，第一载体层1与第二载体层2之间设置有绝缘层，金属化孔17将绝缘层贯穿，金属化孔17最终需要与地平区21连接，进而通过金属化孔17将激光器芯片的一极接地。

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