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北京航空航天大学杭州创新研究院周苗获国家专利权

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龙图腾网获悉北京航空航天大学杭州创新研究院申请的专利一种在二维硅氧化合物中实现极化有序的普适方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116597914B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310519735.4,技术领域涉及:G16C20/30;该发明授权一种在二维硅氧化合物中实现极化有序的普适方法是由周苗;华陈强设计研发完成,并于2023-05-08向国家知识产权局提交的专利申请。

一种在二维硅氧化合物中实现极化有序的普适方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种在二维硅氧化合物中实现极化有序的普适方法。本发明的普适方法包括如下步骤:S1:构建二维硅氧化合物并进行结构优化;S2:将插入原子插入步骤S1优化后的结构中并进行结构优化;S3:计算步骤S2优化后的结构的声子振动谱并进行虚频振动矢量分析,分析极化畸变结构后进行结构优化;S4:根据步骤S3优化后的结构计算声子振动谱,找出稳定结构;S5:对步骤S4的稳定结构进行对称分析,确认具有铁电反铁电极化有序的新结构。本发明的普适方法在二维硅氧化合物中实现了铁电极化,有利于推动基于硅基纳米电子学器件与铁电存储电子学器件应用领域的发展。

本发明授权一种在二维硅氧化合物中实现极化有序的普适方法在权利要求书中公布了:1.一种在二维硅氧化合物中实现极化有序的普适方法,其特征在于,包括如下步骤: S1:构建二维硅氧化合物并进行结构优化; S2:将插入原子插入步骤S1优化后的结构中并进行结构优化,插入原子的半径小于二维硅氧化合物的孔洞大小; S3:计算步骤S2优化后的结构的声子振动谱并进行虚频振动矢量分析,分析极化畸变结构后进行结构优化; S4:根据步骤S3优化后的结构计算声子振动谱,找出稳定结构; S5:对步骤S4的稳定结构进行对称分析,确认具有铁电反铁电极化有序的新结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京航空航天大学杭州创新研究院,其通讯地址为:310052 浙江省杭州市滨江区创慧街18号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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