买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种用于光电催化水分解的CuBi2O4/CdO光电阴极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116641082B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310617103.1，技术领域涉及：C25B11/052；该发明授权一种用于光电催化水分解的CuBi2O4/CdO光电阴极的制备方法是由舒展;夏玉国设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于光电催化水分解的CuBi2O4/CdO光电阴极的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种用于光电催化水分解的CuBi2O4CdO光电阴极的制备方法，本发明通过电沉积结合CVD处理的方法，制备了具有高结晶性的CuBi2O4光电阴极，在制备过程中，CdO颗粒被负载到CuBi2O4光电阴极的表面，构成了CuBi2O4CdO异质结，在FTO玻璃上得到了负载CdO颗粒的CuBi2O4电极，使得CuBi2O4光电阴极具有更好的性能。负载CdO颗粒的CuBi2O4电极首先材料颜色发生了改变，使得材料的光吸收性能有较高的提升，其次CuBi2O4CdO异质结的构成大大提高了载流子的转移速率，并且降低了电子和空穴的复合率，同时材料的光腐蚀情况得到了极大的改善，大大提高了材料在工作环境中的稳定性。

本发明授权一种用于光电催化水分解的CuBi2O4/CdO光电阴极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于光电催化水分解的CuBi2O4CdO光电阴极的制备方法，包括步骤如下： 1提供一基底，进行预处理； 2配制电沉积前驱体溶液：将铋源、铜源、镉源、KClO4加入二甲基亚砜中溶解，混合均匀，得到电沉积前驱体溶液；电沉积前驱体溶液中铋源浓度为8-15mM，所述铜源为CuNO32﹒3H2O，电沉积前驱体溶液中铜源浓度为3-6mM，电沉积前驱体溶液中镉源浓度为0.5-3mM，电沉积前驱体溶液中KClO4浓度为80-120mM， 3将电沉积前驱体溶液加入电沉积槽中，以步骤1预处理的基底为工作电极，铂片为对电极，AgAgCl为参比电极，组成三电极体系，进行电沉积；电极间距为1-10cm，外加偏压为-1.5V，沉积电荷保持在0.04Ccm-2，电沉积重复8-12次，电沉积过程在每次沉积之间暂停5秒钟，电沉积结束后，得到负有前体材料的基底； 4负有前体材料的基底在室温下干燥，然后置于马弗炉中，退火2-6小时，得到CuBi2O4CdO光电阴极，退火温度为450-580℃。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学，其通讯地址为：250100 山东省济南市历城区山大南路27号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。