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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种基于纳米粒子单层阵列的光刻掩膜制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116736629B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310729638.8，技术领域涉及：G03F1/68；该发明授权一种基于纳米粒子单层阵列的光刻掩膜制造方法是由杨欢;韩一平;崔志伟;汪加洁;赵文娟设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于纳米粒子单层阵列的光刻掩膜制造方法在说明书摘要公布了：一种基于纳米粒子阵列的光刻掩膜的制造方法，利用喷墨打印可控的水滴阵列，在水滴阵列表面分别对准喷打所需不同直径纳米粒子阵列，纳米粒子分散液与水滴不互溶，在水滴表面上形成纳米粒子单层膜，加热干燥后形成纳米粒子单层阵列，然后将纳米粒子单层阵列转移至柔性透明基底；通过调控不同位置水滴表面喷墨打印的纳米粒子胶体材料和直径，形成制造复杂微纳结构阵列多尺寸的基于纳米粒子单层阵列的光刻掩膜；本发明通过喷墨打印定域制造不同直径的纳米粒子单层阵列组合，突破了纳米粒子阵列掩膜只能制造单一形貌结构的限制，形成了工艺简单、高效，可控的纳米粒子单层阵列制造技术。

本发明授权一种基于纳米粒子单层阵列的光刻掩膜制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米粒子阵列的光刻掩膜制造方法，其特征在于：利用喷墨打印可控的水滴阵列，在水滴阵列表面分别对准喷打所需不同直径纳米粒子阵列，纳米粒子分散液与水滴不互溶，在水滴表面上形成纳米粒子单层膜，加热干燥后形成纳米粒子单层阵列，然后将纳米粒子单层阵列转移至柔性透明基底；通过调控不同位置水滴表面喷墨打印的纳米粒子胶体材料和直径，形成制造复杂微纳结构阵列多尺寸的基于纳米粒子单层阵列的光刻掩膜； 所述的一种基于纳米粒子阵列的光刻掩膜制造方法，包括以下步骤： 1制备介电纳米粒子胶体墨水； 2将基底清洗干净，进行基底表面的疏水处理； 3在基底疏水表面覆盖掩膜，进行亲水处理，形成亲水阵列图形区域； 4以超纯水作为打印墨水，利用喷墨打印机在基底表面的亲水阵列图形区域内依次打印水滴，形成水滴阵列； 5以步骤1制备的介电纳米粒子胶体墨水为打印墨水，在水滴表面喷墨打印介电纳米粒子胶体墨水，在水滴表面形成纳米粒子单层膜； 6对基底加热，待水滴和介电纳米粒子胶体墨水中的分散液完全蒸发，形成纳米粒子单层阵列； 7将纳米粒子单层阵列转移至柔性薄膜表面，形成基于纳米粒子单层阵列的光刻掩膜。

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