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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种多纳米孔PI膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116850794B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310846625.9，技术领域涉及：B01D69/02；该发明授权一种多纳米孔PI膜及其制备方法和应用是由张晓玲;皇甫小留;刘俊杰;吴思思;黄宇恒;马铖雪;黄瑞星设计研发完成，并于2023-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多纳米孔PI膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多纳米孔PI膜及其制备方法和应用，该多纳米孔PI膜包括PI膜，其特征是：PI膜蚀刻有多个哑铃形纳米孔道，Azo‑G4‑DNA和G4‑DNA分别附着于氨化后的PI膜哑铃形纳米孔道的两段内表面。制备方法包括：步骤1、蚀刻PI膜多个哑铃形纳米孔道；步骤2、对PI膜的哑铃形纳米孔道进行羧基活化；步骤3、用Azo‑G4‑DNA和G4‑DNA分别修饰步骤2的PI膜哑铃形纳米孔道两段内表面。本发明的多纳米孔道PI膜应用于对铊离子具有选择性，在电压或紫外光刺激下实现铊离子逆浓度梯度运输，实现了收集提取铊物质。

本发明授权一种多纳米孔PI膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种多纳米孔PI膜的制备方法，其特征是，包括以下步骤： 步骤1、蚀刻PI膜多个哑铃形纳米孔道 经过重离子辐照的PI膜正、反两面用紫外光照射，然后将PI膜夹持在H型电解池中间，在恒温水浴条件下，在H型电解池两个腔室内均加入蚀刻液，左、右两边均插入铂片电极，施加1.0V的恒定电压，观察输出电流大小，电流突然变大后再保持一段时间后，停止加压，倾倒处蚀刻液；向左右两边加入停止液，继续施加1.0V的恒定电压，保持适当时间停止，倾倒出停止液，取出H型电解池中间的PI膜，用蒸馏水冲洗，得到多个哑铃形纳米孔道PI膜； 步骤2、对PI膜的哑铃形纳米孔道进行羧基活化 将具有多个哑铃形纳米孔道的PI膜置于碳酰二亚胺和N-羟基琥珀酰亚胺的混合溶液中浸泡，活化羧基； 步骤3、用Azo-G4-DNA和G4-DNA分别修饰步骤2的PI膜哑铃形纳米孔道两段内表面 将活化后的PI膜固定于H型电解池中间，左、右两腔室分别与Azo-G4-DNA、G4-DNA溶液在无光照情况下接触至少12小时，然后将PI膜取出洗净，得到由Azo-G4-DNA和G4-DNA两种生物分子对应修饰哑铃形纳米孔道两侧的多纳米孔PI膜。

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