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龙图腾网获悉江苏鲁汶仪器股份有限公司申请的专利一种类光栅结构金属电极制造方法和电极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116988065B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210452055.0，技术领域涉及：C23F4/00；该发明授权一种类光栅结构金属电极制造方法和电极是由王耀;彭泰彦;蒋中原;杨宇新;许开东设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种类光栅结构金属电极制造方法和电极在说明书摘要公布了：本申请提供一种类光栅结构金属电极制造方法和电极，用IBE离子束刻蚀设备发射第一粒子束以第一角度在掩膜版的遮掩下刻蚀金属层得到粗刻类光栅结构金属电极，用IBE离子束刻蚀设备发射第二粒子束以第二角度在掩膜版的遮掩下刻蚀粗刻类光栅结构金属电极以得到最终类光栅结构金属电极。即可先用小角度刻蚀以初步打开金属层得到粗刻类光栅结构金属电极，再用大角度利用掩膜的遮蔽对金属层顶部先行修饰，当掩膜逐渐消耗，粒子束可逐渐刻蚀至金属层底部。这样，既对小角度刻蚀产生的侧壁金属粘污进行有效清除，同时又可因金属层顶部与底部刻蚀时间差，形成特殊角度的金属侧壁，从而得到形貌规则，粗糙度低的最终类光栅结构金属电极。

本发明授权一种类光栅结构金属电极制造方法和电极在权利要求书中公布了：1.一种类光栅结构金属电极制造方法，其特征在于，包括： 提供依次层叠的基板、金属层和掩膜版； 采用IBE离子束刻蚀设备发射第一粒子束以第一角度在所述掩膜版的遮掩下刻蚀所述金属层得到粗刻类光栅结构金属电极；在所述粗刻类光栅结构金属电极中，所述金属层的侧壁与所述基板的夹角为θ1； 采用所述IBE离子束刻蚀设备发射第二粒子束以第二角度在所述掩膜版的遮掩下刻蚀所述粗刻类光栅结构金属电极以得到最终类光栅结构金属电极；在利用所述第二粒子束进行刻蚀的过程中，利用所述掩膜版的遮蔽对所述金属层顶部先行修饰，使得所述金属层的侧壁在刻蚀未刻蚀交界处形成角度转折，主刻形成角度θ1修饰形成角度θ2，所述第二粒子束对所述金属层的侧壁继续进行修饰，当所述掩膜版逐渐消耗，所述第二粒子束可逐渐刻蚀至所述金属层的底部，从而得到所述最终类光栅结构金属电极，所述最终类光栅结构金属电极的剖面为等腰三角形或等腰梯形； 所述第一角度小于所述第二角度，所述第一角度为所述第一粒子束与所述基板表面法向所成的角度，所述第二角度为所述第二粒子束与所述基板表面法向所成的角度。

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