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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利气体分配装置和原子沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026209B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310934853.1，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权气体分配装置和原子沉积设备是由朱磊;朱旭设计研发完成，并于2023-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本气体分配装置和原子沉积设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种气体分配装置和原子沉积设备，涉及硅片加工技术领域，为解决原子层沉积过程中气流不均匀的问题而设计。气体分配装置应用于半导体设备；半导体设备包括顶部设置有盖板的反应腔体，盖板具有与反应腔体连通的进气口；气体分配装置位于盖板下方，盖板面向匀气装置的一侧具有凹陷部；气体分配装置包括分气板和扩散板；分气板位于凹陷部的下方，与凹陷部构成匀气腔，且具有多个分气孔；扩散板位于分气板和盖板之间并将匀气腔隔成第一、第二子匀气腔；扩散板具有贯穿扩散板的板厚的多个扩散孔，第一、第二子匀气腔通过扩散孔连通；进气口依次通过第一、第二子匀气腔与反应腔体连通本发明提供的气体分配装置可以提高了气流的均匀性。

本发明授权气体分配装置和原子沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种气体分配装置，应用于半导体设备；所述半导体设备包括反应腔体，所述反应腔体顶部设置有盖板30，所述盖板30具有与所述反应腔体连通的进气口31；其特征在于，所述气体分配装置设置在所述盖板30下方，所述盖板30面向所述气体分配装置的一侧具有凹陷部；所述气体分配装置包括：分气板40和扩散板50； 所述分气板40位于所述凹陷部的下方，与所述凹陷部构成匀气腔，且分气板40具有贯穿所述分气板40的板厚的多个分气孔41；各个所述分气孔41的截面面积相同；所述分气板40的中间区域的所述分气孔41的垂直于所述分气孔41的轴线的截面具有第一尺寸和第二尺寸，所述第一尺寸大于所述第二尺寸，所述第一尺寸与所述第二尺寸所在方向垂直；自所述分气板40的中心至所述分气板40的边缘区域，所述第二尺寸呈增大趋势； 所述扩散板50位于所述分气板40和所述盖板30之间，且设置于所述匀气腔内，将所述匀气腔隔成第一子匀气腔和第二子匀气腔；所述扩散板50具有贯穿所述扩散板50的板厚的多个扩散孔51，所述第一子匀气腔和所述第二子匀气腔通过所述扩散孔51连通； 所述进气口31依次通过所述第一子匀气腔和所述第二子匀气腔与所述反应腔体连通。

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