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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种双波段渐变膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117070894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311085647.4，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种双波段渐变膜及其制备方法是由王孝东;任帅;周鹏;张广;何玲平;刘世界;陈波设计研发完成，并于2023-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双波段渐变膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种双波段渐变膜及其制备方法，涉及光学镀膜技术领域。本发明要解决现有技术中内掩式日冕仪次镜锥形孔700nm杂光抑制问题。本发明的双波段渐变膜，采用AlMgF2+LaF3MgF25LaF3复合膜系结构，通过两次镀膜，并在每次镀膜对不同区域采用不同尺寸的遮挡帽进行遮挡。不同区域的尺寸误差控制在±10μm。本发明的双波段渐变膜，解决了内掩式日冕仪次镜锥形孔700nm杂光抑制问题，同时不影响121.6nm通道的反射率，实现121.6nm和700nm双波段的日冕成像。本发明的双波段渐变膜，实现了700nm通道的渐变膜结构，其反射率从3.7％升高到86％。AlMgF2渐变膜结构有效抑制了次镜锥形孔在700nm的杂光水平，整个光学系统的杂光抑制水平在2.5个太阳半径处达到了10‑8。同时，没有对121.6nm通道的反射率产生影响。

本发明授权一种双波段渐变膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双波段渐变膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1基片清洗： 将基片次镜用高纯水超声清洗，然后离心甩干；其中，次镜依次设置有区域I、区域II和区域III； 2AlMgF2镀膜： 用遮挡帽遮住次镜区域III和部分区域II，利用阴影效应在区域II产生AlMgF2渐变膜，在区域I产生AlMgF2膜层；分别使用电阻蒸发和热蒸发沉积Al膜和MgF2薄膜； 3LaF3MgF2镀膜： 用遮挡帽遮住区域III，将LaF3和MgF2分别置于钼舟内，使用热蒸发方法在步骤2获得的次镜的区域I和区域II上交替镀LaF3膜和MgF2膜，共计10层，最后在MgF2膜上再镀一层LaF3膜，获得LaF3MgF25LaF3多层膜； 步骤2中分别使用电阻蒸发和热蒸发沉积Al膜和MgF2薄膜的具体步骤为： 首先，将铝丝置于钨丝篮内，本底真空为3×10-4Pa，速率为1.0nms，在室温下采用阻蒸沉积Al膜，Al膜的厚度为70nm； 然后，沉积4.5nmMgF2薄膜，覆盖住Al膜； 最后，升温至100℃，恒温两小时后，蒸镀剩余13nm的MgF2薄膜； 步骤3中交替镀LaF3膜和MgF2膜的条件为： 本底真空为3×10-4Pa，基底温度为220℃，速率为0.2nms。

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