上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司黄燕秋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司申请的专利一种外延衬底的抛光方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117124221B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310584619.0，技术领域涉及：B24B31/00；该发明授权一种外延衬底的抛光方法是由黄燕秋;张俊宝;陈猛设计研发完成，并于2023-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延衬底的抛光方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体材料的制备技术领域，公开了一种外延衬底的抛光方法，具体包括如下步骤：S1、抽样检测外延衬底中的C浓度、N浓度,以及一定尺寸的BMD的密度；S2、根据C浓度、N浓度以及BMD的尺寸和密度来确定对应抛光液的pH值；S3、根据C浓度、N浓度确定外延衬底的抛光工艺参数，包括抛光的压力值、转速值；S4、根据确定的抛光工艺参数对外延衬底进行粗抛、细抛和精抛，抛光后对外延衬底进行清洗，得到抛光后的外延衬底。采用本方案的抛光方法对已提高BMD密度的外延衬底进行抛光，在保证外延衬底内吸杂作用的同时，也能提升外延衬底的抛光效果，该抛光方法对外延衬底抛光的适用性更强。
本发明授权一种外延衬底的抛光方法在权利要求书中公布了：1.一种外延衬底的抛光方法，其特征在于：对每一批次的外延衬底进行抽样检测，根据样片的C浓度、N浓度以及BMD的尺寸和密度来确定对应批次的外延衬底的抛光液pH值，BMD即体微缺陷，根据C浓度、N浓度确定对应批次的外延衬底的抛光工艺参数，以提升抛光效果，具体包括如下步骤： S1、对每一批次的外延衬底进行抽样，检测样片中的C浓度、N浓度，以及一定尺寸的BMD的密度； S2、根据C浓度、N浓度以及BMD的尺寸和密度来确定对应批次的外延衬底所用抛光液的pH值； S3、根据C浓度、N浓度确定对应批次的外延衬底的抛光工艺参数，包括抛光的压力值、转速值； S4、根据确定的抛光工艺参数对对应批次的外延衬底进行粗抛、细抛和精抛，抛光后对衬底进行清洗，得到抛光后的外延衬底。
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