华为技术有限公司李晨获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利芯片及其制备方法、终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117174657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210581765.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权芯片及其制备方法、终端是由李晨;张冬明设计研发完成，并于2022-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片及其制备方法、终端在说明书摘要公布了：本申请提供一种芯片及其制备方法、终端，涉及半导体技术领域，可改善各膜层的倒伏现象，使P型晶体管与N型晶体管的性能更匹配。芯片的制备方法包括：形成层叠设置的牺牲层和沟道层，沟道层位于相邻牺牲层之间；N型晶体管的第一沟道层的材料与P型晶体管的第二沟道层的材料相同；去除牺牲层中位于沟道区域的部分；在沟道层朝向和或背离衬底侧形成盖帽层，盖帽层位于沟道区域；盖帽层在其与沟道层的界面处形成分裂的能带，以在第一沟道层的电子迁移率小于第一预设值、第二沟道层的空穴迁移率大于第二预设值时，将电子限制在盖帽层中，在第一沟道层的电子迁移率大于第三预设值、第二沟道层的空穴迁移率小于第四预设值时，将空穴限制在盖帽层中。
本发明授权芯片及其制备方法、终端在权利要求书中公布了：1.一种芯片的制备方法，其特征在于，所述芯片包括N型晶体管和P型晶体管，所述N型晶体管和所述P型晶体管的制备方法，包括： 在衬底上形成层叠设置的牺牲层和沟道层，所述沟道层位于相邻所述牺牲层之间；所述沟道层包括N型晶体管的第一沟道层和P型晶体管的第二沟道层，所述第一沟道层的材料与所述第二沟道层的材料相同； 去除所述牺牲层中位于沟道区域的部分； 在所述沟道层朝向和或背离所述衬底侧形成盖帽层，所述盖帽层位于所述沟道区域；沿所述衬底指向所述沟道层的方向，所述盖帽层的厚度小于所述牺牲层的厚度；所述盖帽层在其与所述沟道层的界面处形成分裂的能带，以在所述第一沟道层的电子迁移率小于第一预设值、所述第二沟道层的空穴迁移率大于第二预设值时，将电子限制在所述盖帽层中，在所述第一沟道层的电子迁移率大于第三预设值、所述第二沟道层的空穴迁移率小于第四预设值时，将空穴限制在所述盖帽层中。
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