武汉光迅科技股份有限公司赵建宜获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉光迅科技股份有限公司申请的专利一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117335261B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210735820.X，技术领域涉及：H01S5/024；该发明授权一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法是由赵建宜;史正康;何伟奇;岳玉环设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器芯片技术领域，提供了一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法。其中包括衬底和依次生长在衬底之上的多个功能层，具体的：在脊波导的两侧沟道分别刻蚀有导通至衬底的隔热凹槽，所述脊波导下方的至少一个功能层被挖空形成空洞隔热区域，所述空洞隔热区域的两侧与所述隔热凹槽相邻。本发明避免了芯片内部的热量散失，提高了芯片的隔温效果，从而提高芯片的热调谐效率。
本发明授权一种新型结构的热调谐激光器芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种新型结构的热调谐激光器芯片，其特征在于，包括衬底1和依次生长在衬底1之上的多个功能层2，具体的： 在脊波导的两侧沟道分别刻蚀有导通至衬底1的隔热凹槽3，所述脊波导下方的至少一个功能层2被挖空形成空洞隔热区域4，所述空洞隔热区域4的两侧与所述隔热凹槽3相邻； 所述隔热凹槽3内壁生长有支撑阻腐结构5，所述支撑阻腐结构5由第一支撑阻腐部分51和第二支撑阻腐部分52间隔组成，在第一支撑阻腐部分51，所述隔热凹槽3与所述空洞隔热区域4被所述第一支撑阻腐部分51隔开，在第二支撑阻腐部分52，所述隔热凹槽3与所述空洞隔热区域4导通。
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