湖北兴福电子材料股份有限公司李少平获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北兴福电子材料股份有限公司申请的专利一种半导体行业废硫酸深度提纯的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117401653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311275335.X，技术领域涉及：C01B17/90；该发明授权一种半导体行业废硫酸深度提纯的方法是由李少平;王宏博;贺兆波;池汝安;叶瑞;杨着;郭岚峰;刘洋;汪鳙;彭东设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体行业废硫酸深度提纯的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对半导体行业产生的废硫酸深度提纯的方法，属于半导体行业废硫酸回收综合利用技术领域。首先将废硫酸通入过氧化氢脱除系统，在加热的条件下，加入催化剂促进废硫酸中过氧化氢的分解，同时在催化剂和过氧化氢的协同作用下，促使废硫酸中的金属杂质形成中间氧化产物，有利于后续树脂的吸附除杂过程；将废硫酸经过树脂除杂后，最后将除杂完成后的硫酸通入蒸发浓缩系统，在100~200℃的条件下浓缩3‑6h，得到高纯硫酸产品。该方法不但能够对废硫酸进行深度提纯，而且通过该方法不会引入新的杂质，对环境不会产生二次污染，能够实现废硫酸绿色高效的深度纯化。
本发明授权一种半导体行业废硫酸深度提纯的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体行业废硫酸深度提纯的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将回收的废硫酸加热到50~100℃，加入催化剂促进废硫酸中过氧化氢的分解，并且在催化剂和过氧化氢的协同作用下，废硫酸中的金属杂质形成了有利于树脂吸附的中间氧化产物，同时对反应过程中的氧气、酸雾尾气进行收集并无害化处理，所述的催化剂是铜丝与沸石的组合物、铜丝、铜丝与氧化铜的组合物； 2当检测到步骤1废硫酸中的过氧化氢浓度≤0.002%时反应停止，将废硫酸冷却至25~45℃； 3在室温条件下，利用混合树脂对步骤2的废硫酸进行金属杂质的脱除，并取样进行分析，所用的树脂是UPW650、C160、S910、ZGA307FM、S960、S985、RCS81型树脂中两种以上的混合树脂床； 4将步骤3除杂完成后的硫酸在100~200℃的条件下蒸发浓缩3-6h，得到高纯硫酸产品，同时对反应过程中的尾气进行收集无害化处理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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