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龙图腾网获悉中山大学申请的专利发光及高性能光电探测一体的双栅器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117766618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311840491.6，技术领域涉及：H10F55/255；该发明授权发光及高性能光电探测一体的双栅器件及其制造方法是由梁春海;刘川设计研发完成，并于2023-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光及高性能光电探测一体的双栅器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光及高性能光电探测一体的双栅器件及其制造方法，双栅器件包括光电二极管、第一晶体管和第二晶体管，光电二极管包括由上到下设置的第六电极、第一载流子传输层、发光层、第二载流子传输层和第八电极，第一晶体管位于光电二极管下方的一侧，第二晶体管为设有顶栅极的双栅结构，第二晶体管位于所述光电二极管下方的另一侧。本发明中，双栅器件中的第一晶体管可以驱动光电二极管发光，以及与光电二极管配合实现光电流探测，第二晶体管可以与光电二极管配合实现高性能光电压探测，从而实现将发光二极管与光电探测二极管集成为一个单片器件，在实现电致发光的同时实现高性能的光电探测。本实施例中广泛应用于光电技术领域。

本发明授权发光及高性能光电探测一体的双栅器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种发光及高性能光电探测一体的双栅器件，其特征在于，所述双栅器件包括： 光电二极管；所述光电二极管包括由上到下设置的第六电极、第一载流子传输层、发光层、第二载流子传输层和第八电极；其中，所述第六电极为透明电极，所述第八电极作为所述光电二极管的底电极； 第一晶体管；所述第一晶体管位于所述光电二极管下方的一侧，所述第一晶体管的漏极与所述第八电极连接； 第二晶体管；所述第二晶体管为设有顶栅极的双栅结构，所述第二晶体管位于所述光电二极管下方的另一侧，所述第二晶体管的顶栅极与所述第八电极连接； 所述第二晶体管包括： 第一介电层；所述第一介电层位于所述第八电极的下方并与所述第八电极连接； 第二半导体层、第四电极和第五电极；所述第二半导体层、所述第四电极和所述第五电极均位于所述第一介电层内，所述第五电极与所述第二半导体层的一端连接，所述第四电极与所述第二半导体层的另一端连接； 顶栅电极；所述顶栅电极均位于所述第一介电层内，所述顶栅电极位于所述第二半导体层的上方； 第二介电层；所述第二介电层位于所述第一介电层的下方并与所述第一介电层连接； 第二电极；所述第二电极位于所述第二介电层内，所述第二电极位于所述第二半导体层的下方； 其中，所述第二电极作为第二晶体管的栅极，所述第五电极作为第二晶体管的源极，所述第四电极作为第二晶体管的漏极。

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