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龙图腾网获悉首都医科大学附属北京天坛医院申请的专利一种射频压电微机械超声换能器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117983520B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410083433.1，技术领域涉及：B06B1/06；该发明授权一种射频压电微机械超声换能器及其制备方法是由张雨康;何文;张巍;程令刚;李睿;广旸设计研发完成，并于2024-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频压电微机械超声换能器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种射频压电微机械超声换能器及其制备方法，在上述方法中，采用高阻值硅替换原先SOI基底作为射频压电微机械超声换能器的衬底，可以极大地简化了射频压电微机械超声换能器的制造流程，降低了制造成本；并且通过金属－金属直接晶圆键合的方式将硅衬底外延形成的压电材料晶圆转移到具有富缺陷氧化层的高阻值硅衬底上，富缺陷氧化层和富缺陷层均起到了捕获整个器件中游离寄生电荷的作用，提升了整个射频MDOL衬底结构的电阻率，并使得射频压电微机械超声换能器有优异的射频性能，从而解决了PMUT存在的信号线性度低、插入损耗高、低信号完整性差和信号失真度高等问题。

本发明授权一种射频压电微机械超声换能器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频压电微机械超声换能器的制备方法，其特征在于，包括： 提供硅衬底，在所述硅衬底上依次形成压电材料层和底部金属层，获得压电材料晶圆； 提供高阻硅衬底，在所述高阻硅衬底上依次形成富缺陷层、富缺陷氧化层和底部金属层，获得富缺陷层晶圆，所述富缺陷层的厚度范围为100-1000nm、所述富缺陷氧化层的厚度范围为50-500nm； 将所述压电材料晶圆和所述富缺陷层晶圆进行晶圆键合处理，形成射频压电微机械超声换能器，所述射频压电微机械超声换能器中的富缺陷层和富缺陷氧化层用于捕获所述射频压电微机械超声换能器中的游离寄生电荷，以使所述射频压电微机械超声换能器具有射频性能； 其中，所述将所述压电材料晶圆和所述富缺陷层晶圆进行晶圆键合处理，形成射频压电微机械超声换能器，包括：将所述压电材料晶圆的底部金属层和所述富缺陷层晶圆的底部金属层进行金属－金属直接晶圆键合，以获得底部电极；通过机械减薄方法、干法刻蚀方法或湿法刻蚀方法将所述硅衬底去除，获得射频MDOL衬底结构；将所述射频MDOL衬底结构中的顶部金属层和压电材料层进行刻蚀处理，形成台面结构；将所述高阻硅衬底进行刻蚀处理，形成空腔的高阻硅衬底，以获得所述射频压电微机械超声换能器。

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