重庆大学蒲贤洁获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种面向过程的高信号密度自供电无线传感装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118174752B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410227758.2，技术领域涉及：H04B5/26；该发明授权一种面向过程的高信号密度自供电无线传感装置是由蒲贤洁;刘思召;安山山;周翔;王坚设计研发完成，并于2024-02-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种面向过程的高信号密度自供电无线传感装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种面向过程的高信号密度自供电无线传感装置，包括定子基板1、接触优化层2、第一摩擦层3、滑块；所述定子基板之上覆盖有接触优化层2；所述接触优化层2之上覆盖有第一摩擦层3；所述滑块布置在第一摩擦层3的上表面，且在第一摩擦层3之上可移动；所述滑块包括第二摩擦层4、滑块基板5和侧面电极6；所述第二摩擦层4布置在第一摩擦层3上表面；所述滑块基板5布置在第二摩擦层4上表面；所述侧面电极6附着在滑块基板5的侧壁，用于收集滑块滑动过程中放电击穿产生的电荷，以形成高密度的传感信号1s内包含数百个信息的传感片段，随后通过一对电感线圈进行传感信号的无线发射、传输和接收。本发明提供的传感器在整个无线传输流程中，信号的产生以及传输环节都不需要额外的供电，实现了真正意义的全过程自驱动无线传输。
本发明授权一种面向过程的高信号密度自供电无线传感装置在权利要求书中公布了：1.一种面向过程的高信号密度自供电无线传感装置，其特征在于：包括定子基板1、接触优化层2、第一摩擦层3、滑块； 所述定子基板之上覆盖有接触优化层2； 所述接触优化层2之上覆盖有第一摩擦层3； 所述滑块布置在第一摩擦层3的上表面，且在外力作用下在第一摩擦层3之上可移动； 所述滑块包括第二摩擦层4、滑块基板5和侧面电极6； 所述第二摩擦层4布置在滑块基板5下表面； 所述侧面电极6附着在滑块基板5的侧壁，用于收集滑块滑动过程中放电击穿产生的电荷，以形成传感信号。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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