福建省晋华集成电路有限公司冯立伟获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118448444B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410584824.1，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权晶体管是由冯立伟设计研发完成，并于2024-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管在说明书摘要公布了：本公开涉及一种晶体管，包括基底，基底中设有栅极沟槽；栅介质层，覆盖栅极沟槽的底部和侧壁，包括第一部分和第二部分；第一部分位于栅极沟槽的底部及下部；第二部分位于栅极沟槽的上部，且与第一部分相连接，第二部分的厚度大于第一部分的厚度；栅极导电层，位于栅极沟槽中；栅极导电层包括第一功函数材料和第二功函数材料；第一功函数材料位于栅极沟槽的下部，第二功函数材料位于第一功函数材料的顶表面，第一功函数材料的功函数大于第二功函数材料的功函数。降低了晶体管的栅感应漏电电流，提高了晶体管的可靠性。
本发明授权晶体管在权利要求书中公布了：1.一种晶体管，其特征在于，包括： 基底，所述基底中设有栅极沟槽； 栅介质层，覆盖所述栅极沟槽的底部和侧壁，包括第一部分和第二部分；所述第一部分位于所述栅极沟槽的底部及下部；所述第二部分位于所述栅极沟槽的上部，且与所述第一部分连接，所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度； 栅极导电层，位于所述栅极沟槽中；所述栅极导电层包括第一功函数材料和第二功函数材料；所述第一功函数材料位于所述栅极沟槽的下部，所述第二功函数材料位于所述第一功函数材料的顶表面，所述第一功函数材料的功函数大于所述第二功函数材料的功函数； 所述第二部分包括： 第一凸起部，位于所述第一功函数材料与所述第二功函数材料之间，分别与所述第一功函数材料和所述第二功函数材料接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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