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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利抑制SiC MOSFET串扰的多电平驱动电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118487474B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410409357.9，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权抑制SiC MOSFET串扰的多电平驱动电路及方法是由陈荣盛;黎鸿毅设计研发完成，并于2024-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本抑制SiC MOSFET串扰的多电平驱动电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抑制SiCMOSFET串扰的多电平驱动电路及方法，涉及电力电子技术领域。本发明的多电平驱动电路包括控制组件、驱动电路和辅助电路，该电路具有同时抑制SiCMOSFET正向串扰与负向串扰的功能，在正向串扰发生时，控制SiCMOSFET的栅源电压为负压，从而抑制正向串扰电压，在负向串扰发生时，控制SiCMOSFET的栅源电压为零压，从而抑制负向串扰电压，通过三段驱动电压控制使正负向串扰电压均保持在安全阈值内。

本发明授权抑制SiC MOSFET串扰的多电平驱动电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种抑制SiCMOSFET串扰的多电平驱动电路，其特征在于，包括： 控制组件，包括第一控制信号源V3、第二控制信号源V4，用于产生控制信号，以控制SiCMOSFET的开启与关断； 驱动电路，包括上驱动链电路、下驱动链电路、第一供电源V1和第二供电源V2； 其中，所述上驱动链电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管和第十七MOS管；所述第一MOS管的漏极和所述第四MOS管的漏极连接，连接处连接所述第二MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极；所述第二MOS管的漏极和所述第五MOS管的漏极连接，连接处连接所述第三MOS管的栅极和所述第六MOS管的栅极；所述第三MOS管的漏极和所述第六MOS管的漏极连接，连接处连接所述第十七MOS管的栅极；所述第一控制信号源V3的正极均与所述第一MOS管的栅极、所述第四MOS管的栅极相连；所述第一供电源V1的正极均与所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极、所述第三MOS管的源极、所述第十七MOS管的源极相连，所述第二供电源V2的正极均与所述第四MOS管的源极、所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极相连； 所述下驱动链电路包括第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管、第十MOS管、第十一MOS管、第十二MOS管和第十八MOS管；所述第七MOS管的漏极和所述第十MOS管的漏极连接，连接处连接所述第八MOS管的栅极和所述第十一MOS管的栅极；所述第八MOS管的漏极和所述第十一MOS管的漏极连接，连接处连接所述第九MOS管的栅极和所述第十二MOS管的栅极；所述第九MOS管的漏极和所述第十二MOS管的漏极连接，连接处连接所述第十八MOS管的栅极；所述第二控制信号源V4的正极均与所述第七MOS管的栅极、所述第十MOS管的栅极相连；所述第七MOS管的源极、所述第八MOS管的源极、所述第九MOS管的源极均接地，所述第十八MOS管的漏极与所述第十七MOS管的漏极连接，连接处通过驱动电阻连接SiCMOSFET的栅极； 所述多电平驱动电路还包括辅助电路；所述控制组件还包括第三控制信号源V5； 所述辅助电路包括第十三MOS管、第十四MOS管、第十五MOS管、第十六MOS管和第三供电源V6；所述第十三MOS管的漏极与所述第十五MOS管的漏极连接，连接处连接所述第十四MOS管的栅极和所述第十六MOS管的栅极；所述第十四MOS管的漏极与所述第十六MOS管的漏极连接，连接处均与所述第十MOS管的源极、所述第十一MOS管的源极、所述第十二MOS管的源极、所述第十八MOS管的源极相连；所述第三控制信号源V5的正极均与所述第十三MOS管的栅极、所述第十五MOS管的栅极相连；所述第十三MOS管的源极和所述第十四MOS管的源极均接地，所述第十五MOS管的源极和所述第十六MOS管的源极均与第三供电源V6的正极相连。

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