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中国科学院上海硅酸盐研究所刘建军获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院上海硅酸盐研究所申请的专利一种富锂无钴的高熵掺杂正极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118507688B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410649999.6,技术领域涉及:H01M4/36;该发明授权一种富锂无钴的高熵掺杂正极材料及其制备方法和应用是由刘建军;崔琴文;赵晓琳;李毅设计研发完成,并于2024-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

一种富锂无钴的高熵掺杂正极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了:本发明属于锂离子电池技术领域,涉及一种富锂无钴的高熵掺杂正极材料及其制备方法和应用。针对现有正极材料存在工艺复杂,成本过高,改善效果有限等问题,本发明提供富锂无钴的高熵掺杂正极材料,其化学式为Li[LixNiyMnzA1‑x‑y‑z]O2;其中,0.1≤x≤0.25,0.15≤y≤0.25,0.45≤z≤0.58,0.04≤1‑x‑y‑z≤0.15;所述A为Mg、Al、Si、Ca、Ti、V、Cr、Fe、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Sn、Sb、Te、La、Ta、W中至少4种;每种A元素下标的含量在0.01~0.02之间且每种A元素物质的量相等。

本发明授权一种富锂无钴的高熵掺杂正极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种富锂无钴的高熵掺杂正极材料,其特征在于,所述富锂无钴的高熵掺杂正极材料的化学式为Li[LixNiyMnzA1-x-y-z]O2;其中,0.1≤x≤0.25,0.15≤y≤0.25,0.45≤z≤0.58,0.04≤1-x-y-z≤0.15;所述A为Mg、Al、Si、Ca、Ti、V、Cr、Fe、Cu、Zn、Zr、Nb、Mo、Ru、Sn、Sb、Te、La、Ta、W中至少4种;每种A元素下标的含量在0.01~0.02之间且每种A元素物质的量相等;所述富锂无钴的高熵掺杂正极材料的晶体结构为R-3m空间群和C2m空间群共同组成,结构中锂层和过渡金属层交替排列,过量的锂占据过渡金属层的八面体位点。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海硅酸盐研究所,其通讯地址为:200050 上海市长宁区定西路1295号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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