北京北方华创微电子装备有限公司赵晋荣获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利下电极组件、半导体工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118737788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310314833.4，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权下电极组件、半导体工艺腔室及半导体工艺设备是由赵晋荣;韦刚;吴东煜;王海莉设计研发完成，并于2023-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本下电极组件、半导体工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种下电极组件、半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种下电极结构，包括接口件、承载件、射频馈入件和屏蔽件，承载件用于承载晶圆，接口件包括接口盘，接口盘设于承载件的下方，屏蔽件的一端连接至接口盘，另一端朝向承载件径向外侧弯折，射频馈入件穿设于屏蔽件内，且射频馈入件穿过接口盘后与承载件连接，用于向承载件馈入射频功率，接口盘靠近屏蔽件弯折方向的一侧区域设有多个第一凹槽。本申请解决几何结构不对称影响刻蚀均匀性的问题。
本发明授权下电极组件、半导体工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种下电极组件，其特征在于，包括：承载件330、接口件320、射频馈入件340和屏蔽件350； 所述承载件330用于承载晶圆； 所述接口件320包括接口盘321，所述接口盘321设置于所述承载件330的下方； 所述屏蔽件350的一端连接至所述接口盘321，另一端朝向所述承载件330径向外侧弯折； 所述射频馈入件340穿设于所述屏蔽件350内，且所述射频馈入件340穿过所述接口盘321后与所述承载件330连接，用于向所述承载件330馈入射频功率； 所述接口盘321靠近所述屏蔽件350弯折方向的一侧区域设有多个第一凹槽3211。
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