河源市众拓光电科技有限公司李国强获国家专利权
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龙图腾网获悉河源市众拓光电科技有限公司申请的专利一种肖特基势垒二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888602B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411084091.1，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种肖特基势垒二极管及其制备方法是由李国强;翟红斌设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种肖特基势垒二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及二极管技术领域，具体而言，涉及一种肖特基势垒二极管及其制备方法，通过设置由n+‑GaN层、n‑‑GaN层和p+‑GaN层靠近阴极金属电极的侧面组成倾斜壁，该倾斜壁的结构降低了阳极金属电极附近的电场拥挤效应，从而提高了该肖特基势垒二极管的击穿电压，并且肖特基势垒二极管采用了准垂直结构设计，避免了横向结构存在的芯片面积大和正向电流密度低的缺点，同时结合了准垂直结构所具有的大电流和高击穿电压的优点，实现了肖特基势垒二极管具有低功耗、高功率的优势，适用于高频整流应用。
本发明授权一种肖特基势垒二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括衬底01、AlN成核层02、UID-GaN层03、n-GaN层04、n+-GaN层06、n--GaN层07、p+-GaN层08、阳极金属电极09和阴极金属电极05； 所述衬底01、所述AlN成核层02、所述UID-GaN层03和所述n-GaN层04从下至上依次层叠设置； 所述阴极金属电极05设置在所述n-GaN层04的顶部且位于所述n-GaN层04的其中一侧； 所述n+-GaN层06和所述n--GaN层从下至上依次层叠设置在所述n-GaN层04的顶部远离所述阴极金属电极05的一侧； 所述阳极金属电极09设置在所述n--GaN层07的顶部远离所述阴极金属电极05的一侧； 所述p+-GaN层08设置在所述n--GaN层07的顶部靠近所述阴极金属电极05的一侧； 所述n+-GaN层06、所述n--GaN层07和所述p+-GaN层08靠近所述阴极金属电极05的侧面组成倾斜壁，所述倾斜壁从下至上与所述阴极金属电极05的距离逐渐增大。
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