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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118946237B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410845420.3，技术领域涉及：H10N15/10；该发明授权一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜及其制备方法是由张秀全;朱厚彬;李真宇;胡卉;杜昊阳设计研发完成，并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜及其制备方法，本发明的单畴化纳米级热释电单晶薄膜在绝缘的热释电薄膜层与隔离层之间增加一层较薄的热释电消除层，其材质与热释电薄膜层材料一致，但面法线方向的极性反向，既达到了改善热释电晶体薄膜电荷积累的效果，同时其材料与热释电薄膜层材料同材质，具有相同的物理性质，对薄膜压电、热释电、电光系数等无影响，本发明结构中热释电薄膜层具备高极化强度特点。与现有技术中在复合薄膜正反两面做电极的方式相比，不引入额外的电极等与薄膜异质的材料，工艺相对简单，成本低，应力小，避免了由于热释电薄膜层与电极之间的薄膜脱落问题等。

本发明授权一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单畴化纳米级热释电单晶薄膜的制备方法，包括步骤如下： 1提供一衬底片晶圆，清洗后，在衬底片晶圆上制备一层二氧化硅作为隔离层； 2提供一热释电薄膜片晶圆a，清洗后，采用离子注入的方式将氦离子He+注入热释电薄膜片晶圆a中； 3将步骤2离子注入的热释电薄膜片晶圆a的+Z极化面与步骤1衬底片晶圆的二氧化硅层进行第一次键合，得到键合体a； 4将键合体a在150℃～400℃下恒温保温，实现热释电薄膜片的第一次剥离，形成+Z极化面朝向二氧化硅的热释电消除层a； 5提供一热释电薄膜片晶圆b，清洗后，采用离子注入的方式将氦离子He+注入热释电薄膜片晶圆b中； 6将步骤5离子注入的热释电薄膜片晶圆b的-Z极化面与步骤4所得键合体a的热释电消除层的-Z极化面进行第二次键合，得到键合体b； 7将键合体b在150℃～400℃下恒温保温，实现热释电薄膜片的第二次剥离，形成+Z极化面背离键合体b的热释电薄膜层，热释电薄膜层抛光，得到单畴化热释电晶体薄膜b。

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