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龙图腾网获悉中国科学院宁波材料技术与工程研究所申请的专利一种软金属掺杂二硫化钨基的复合薄膜及其制法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118957495B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411025844.1，技术领域涉及：C23C14/16；该发明授权一种软金属掺杂二硫化钨基的复合薄膜及其制法与应用是由王海新;王立平;唐悦宁;郭武明;任思明设计研发完成，并于2024-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种软金属掺杂二硫化钨基的复合薄膜及其制法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种软金属掺杂二硫化钨基的复合薄膜及其制法与应用。所述复合薄膜包括依次形成于基体表面的钛过渡层、钛二硫化钨镍铜梯度层及二硫化钨镍铜层；其中，在沿逐渐远离所述基体的方向上，所述钛二硫化钨镍铜梯度层中钛的含量逐渐减小，二硫化钼的含量逐渐增大，镍的含量逐渐增大，铜的含量逐渐增大；同时所述二硫化钨镍铜层是由镍‑二硫化钨层与铜‑二硫化钨层交替层叠形成的。本发明提供的复合薄膜具有高硬度、弹性模量及结合力，高温环境摩擦系数达到0.04，具有更好的热稳定性和抗氧化性，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求。

本发明授权一种软金属掺杂二硫化钨基的复合薄膜及其制法与应用在权利要求书中公布了：1.一种软金属掺杂二硫化钨基的复合薄膜，其特征在于，包括：依次形成于基体表面的钛过渡层、钛二硫化钨镍铜梯度层及二硫化钨镍铜层； 其中，在沿逐渐远离所述基体的方向上，所述钛二硫化钨镍铜梯度层中钛的含量逐渐减小，二硫化钨的含量逐渐增大，镍的含量逐渐增大，铜的含量逐渐增大；同时所述二硫化钨镍铜层是由镍-二硫化钨层与铜-二硫化钨层交替层叠形成的； 所述软金属掺杂二硫化钨基的复合薄膜中镍原子的原子含量为8~12at%，铜原子的原子含量为1~4at%； 所述复合薄膜的硬度大于6.5GPa； 所述软金属掺杂二硫化钨基的复合薄膜的制备方法包括： 采用磁控溅射技术，以钛靶为阴极靶材，以惰性气体为工作气体，对钛靶施加靶电流，对基体施加负偏压，从而在基体表面沉积形成钛过渡层，其中，靶电流为3.0~5.0A，基体偏压为-70~-100V，工作气体流量为30~35sccm，基体温度为80~120℃，反应腔室压强为1.0~3.0×10-3torr，沉积时间为600~900s；其中，所述惰性气体包括氩气； 采用磁控溅射技术，以钛靶、二硫化钨镍靶、二硫化钨铜靶为阴极靶材，以惰性气体为工作气体，对钛靶、二硫化钨镍靶、二硫化钨铜靶施加靶电流，对基体施加负偏压，从而在所述钛过渡层的表面沉积形成钛二硫化钨镍铜梯度层；其中，施加于钛靶上的靶电流从3.0~5.0A逐渐减小至0，施加于二硫化钨镍靶的靶电流从0逐渐增加至0.8~1.6A，施加于二硫化钨铜靶的靶电流从0逐渐增加至0.8~1.6A，基体偏压为-30~-70V，工作气体流量为30~35sccm，基体温度为80~120℃，反应腔室压强为1.0~3.0×10-3torr，沉积时间为600~900s；其中，所述惰性气体包括氩气； 以及，采用磁控溅射技术，以二硫化钨镍靶、二硫化钨铜靶为阴极靶材，以惰性气体为工作气体，对二硫化钨镍靶、二硫化钨铜靶施加靶电流，对基体施加负偏压，在所述钛二硫化钨镍铜梯度层的表面沉积形成二硫化钨镍铜层，从而制得软金属掺杂二硫化钨基的复合薄膜；其中，施加于二硫化钨镍靶的靶电流为0.8~1.6A，施加于二硫化钨铜靶的靶电流为0.8~1.6A，基体偏压为-30~-70V，工作气体流量为30~35sccm，基体温度为80~120℃，反应腔室压强为1.0~3.0×10-3torr，沉积二硫化钨镍铜层的时间为9900~10300s；其中，所述惰性气体包括氩气。

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