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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利一种发光二极管及其制造方法及发光模组、发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411004389.7，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权一种发光二极管及其制造方法及发光模组、发光装置是由陈焯炜设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种发光二极管及其制造方法及发光模组、发光装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种发光二极管及其制造方法及发光模组、发光装置，本发明的发光二极管中，外延结构包括依次叠置的第一导电类型半导体层、有源层及第二导电类型半导体层，其中，有源层和第二导电类型半导体层依次覆盖第一导电类型半导体层的至少部分侧壁。该外延结构特征减少外延结构侧壁处的缺陷，减少外延结构的非辐射复合，提高外延结构的发光效率。另外，有源层及第二导电类型半导体层同时还覆盖第一导电类型半导体层的侧壁，由此在侧壁处也能形成辐射复合区，进一步提高出光效率。本发明在制造上述发光二极管时，将生长衬底的第一表面形成为图形化的表面，图形化结构包括凸起结构以及与凸起结构互补的凹陷区，在生长衬底上生长外延结构之后，去除生长衬底以及形成在凹陷区域的外延结构，保留下来的凸起结构上方的外延结构形成发光二极管，减少侧壁缺陷，减少这些缺陷导致的非辐射复合，由此提高发光二极管的发光效率。

本发明授权一种发光二极管及其制造方法及发光模组、发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一生长衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面； 在所述生长衬底的所述第一表面侧形成图形化结构，所述图形化结构包括周期排列的凸起结构以及与所述凸起结构互补的凹陷区域； 在所述生长衬底的所述第一表面上依次生长第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，以形成外延结构，所述外延结构至少形成在所述凸起结构上方，并且所述凸起结构上方的所述外延结构中，所述有源层和所述第二导电类型半导体层覆盖所述第一导电类型半导体层的至少部分侧壁； 去除所述生长衬底以及所述凹陷区域的外延结构； 所述凸起结构的纵向截面的顶部表面的边长介于10μm~20μm，所述凸起结构的高度介于2μm~10μm，相邻所述凸起结构的间隔距离介于5μm~20μm，所述凸起结构的纵向截面形状为梯形结构或者倒梯形结构。

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