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龙图腾网获悉珠海牧泰莱电路有限公司申请的专利一种天线区域Hoz的毫米波雷达PCB及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118973123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411094495.9，技术领域涉及：H05K3/06；该发明授权一种天线区域Hoz的毫米波雷达PCB及其制备方法是由周飞;钟岳松;唐文设计研发完成，并于2024-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种天线区域Hoz的毫米波雷达PCB及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种天线区域Hoz的毫米波雷达PCB及其制备方法，属于PCB制备技术领域。该方法包括如下步骤：开料、第一次图形转移、第一次蚀刻去膜、第一次棕化、层压、打靶孔、铣边框、第一次去棕化、第二次棕化、激光钻孔、钻孔、除胶、第一次沉铜加厚、堵孔、烘烤、打磨、第二次图形转移、第一次微蚀减铜、沉铜加厚、第三次图形转移、第二次微蚀减铜、第四次图形转移、第二次蚀刻去膜、防焊制作、表面处理、丝印字符、外型加工、测试、成品检验。有益效果在于，采用发明提供的方法进行生产，实现了天线区域Hoz的毫米波雷达PCB设计制作，产品性能、外观均能完全达到此类产品设计要求。

本发明授权一种天线区域Hoz的毫米波雷达PCB及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种天线区域Hoz的毫米波雷达PCB的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤S1，开料，按设计尺寸开料； 步骤S2，第一次图形转移，在板件上涂覆感光性材料，使用菲林曝光，通过弱碱性化学药水去除所需的非线路上的感光材料； 步骤S3，第一次蚀刻去膜，使用强氧化性化学药水将露出的铜层去除，然后使用强碱性化学药水，将所有的感光材料去除； 步骤S4，第一次棕化，去除板面油脂脏污，将铜面粗化增加铜面与半固化片结合的面积； 步骤S5，层压，使用恒温恒压的传统压机芯板，通过半固化片粘合在一起，板面上下放离型膜； 步骤S6，打靶孔，采用xray打靶机钻出需要的定位孔； 步骤S7，铣边框，通过数控锣机将层压后板边多余铜箔以及板边的溢胶去除； 步骤S8，第一次去棕化，采用机械磨刷，去除外层芯板棕化膜和树脂点； 步骤S9，第二次棕化，去除板面油脂脏污、将表层铜面做上棕化膜同时减铜满足激光钻孔所需； 步骤S10，激光钻孔，采用镭射方式钻出所需盲孔； 步骤S11，钻孔，采用机械钻孔钻出所需通孔； 步骤S12，除胶，采用强氧化性化学药水清除钻孔残留的树脂和钻污； 步骤S13，第一次沉铜加厚，将孔壁非导体部分的树脂和玻纤金属化； 步骤S14，堵孔，采用树脂将盲孔和盘中孔做塞孔处理； 步骤S15，烘烤，将半固化状态的树脂烤干固化； 步骤S16，打磨，将孔口树脂研磨干净； 步骤S17，第二次图形转移，在板件上涂覆感光性材料，使用菲林选择性曝光，通过弱碱性化学药水去除所需的非线路上的感光材料，将通孔和器件孔做干膜掩孔； 步骤S18，第一次微蚀减铜，使用强氧化性化学药水将外层整板面减铜处理； 步骤S19，沉铜加厚，将盲孔和盘中孔做POFV盖帽； 步骤S20，第三次图形转移，在板件上涂覆感光性材料，使用菲林选择性曝光，通过弱碱性化学药水去除所需的非线路上的感光材料，露出天线局部所需Hoz区域； 步骤S21，第二次微蚀减铜，使用强氧化性化学药水将露出天线局部所需Hoz区域做减铜处理； 步骤S22，第四次图形转移，在板件上涂覆感光性材料，使用外层线路资料并进行曝光，通过弱碱性化学药水去除所需的非线路上的感光材料； 步骤S23，第二次蚀刻去膜，使用强氧化性化学药水将露出的铜层去除，然后使用强碱性化学药水，将所有的感光材料去除； 步骤S24，防焊制作，采用网版丝印方式在板上丝印感光性防焊材料，使用菲林选择性曝光，通过弱碱性化学药水去除所需的焊盘上的感光材料并将绿油进行固化； 步骤S25，表面处理，在焊接区域进行表面处理； 步骤S26，丝印字符，用网版在产品表面丝印一层热固化油墨； 步骤S27，外型加工，切割出需要的形状； 步骤S28，测试，使用测试机测试出各网络间的电气性能； 步骤S29，成品检验，目视板件外观，无瑕疵后入库。

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