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龙图腾网获悉福建华清电子材料科技有限公司申请的专利一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118993743B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411207324.2，技术领域涉及：C04B35/581；该发明授权一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法是由冯家伟;施纯锡设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子封装材料技术领域，提供一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，解决现有技术制备的陶瓷基板气密性较差、热稳定性不佳以及可靠性低、金属线路层精度低的问题；包括以下制备步骤：1制备AlN陶瓷基片；2制备AlN陶瓷基板；3制备围坝基板；4预处理；5制备三维氮化铝陶瓷基板。

本发明授权一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、AlN陶瓷基片的制备：按照AlN、Ce2O3以及CeF3的质量分数比为96-98wt％：1-3wt％：1wt％的比例，混合均匀，获得第一混合物，按照第一混合物和无水乙醇的固液比为1:1-1.5的比例，球磨混合5-6h，75℃下干燥10-12h，过100-200目筛，在N2氛围下，设置压力为30-35MPa，以10℃min的升温速率升高温度至1700-1800℃，热压烧结3-5h，再以5℃min的降温速率冷却至室温，获得所述AlN陶瓷基片； S2、AlN陶瓷基板的制备：用激光在上述AlN陶瓷基片上打孔，形成第一通孔，然后在所述AlN陶瓷基片表面和通孔内壁溅射种子层，完成孔壁金属化，光刻显影形成金属线路层，采用电镀工艺将所述金属线路层增厚至50-80μm，然后通过化学镀、去膜以及刻蚀工艺，获得AlN陶瓷基板； S3、围坝基板的制备：在紫铜板上进行激光打孔，形成第二通孔，然后进行线切割处理，获得所述围坝基板； S4、预处理工艺：将所述AlN陶瓷基板和围坝基板依次进行除油、微蚀以及酸浸处理，烘干，完成所述预处理工艺； S5、三维氮化铝陶瓷基板：采用电镀键合工艺，在电镀槽中加入镀液，使所述AlN陶瓷基片和围坝基板连接成整体，获得所述芯片封装用三维氮化铝陶瓷基板； 其中，所述电镀键合工艺为：在所述AlN陶瓷基板下表面和围坝基板上表面贴干膜，露出待电镀区域，然后将所述AlN陶瓷基板和围坝基板对准夹紧固定后放入电镀槽中，通电进行电镀，电镀结束后取出，去除干膜； 所述镀液包括以下重量份的原料：100-120份CuSO4、50-60份H2SO4、50-60份NaCl、1-5份加速剂、1-5份抑制剂以及1-5份整平剂；所述加速剂为聚二硫二丙烷磺酸钠、噻唑啉基二硫代丙烷磺酸钠以及3-巯基-1-丙烷磺酸钠中的任意一种；所述抑制剂为聚乙二醇、聚丙二醇以及脂肪醇聚氧乙烯醚中的任意一种；所述整平剂为氯化硝基四氮唑蓝。

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