北京北方华创微电子装备有限公司韩为鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118996336B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310574281.0，技术领域涉及：C23C14/22；该发明授权工艺腔室及半导体工艺设备是由韩为鹏;张钦彤;黄其伟;裴立新;刘浩文;谷强;刘星设计研发完成，并于2023-05-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室，包括：腔体以及分别设于所述腔体内的基座和工艺组件，所述基座用于承载晶圆；所述工艺组件包括沉积环，所述沉积环设于所述基座的外侧；所述工艺腔室还包括加热组件，所述加热组件设于所述腔体内，用于对所述沉积环的至少部分区域进行加热，以熔化所述沉积环处的沉积材料。一种半导体工艺设备，包括上述工艺腔室。本申请能够解决遮挡件上沉积形成的凸刺与晶圆粘连导致晶圆偏移甚至破碎的问题。
本发明授权工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：腔体100以及分别设于所述腔体100内的基座200和工艺组件300，所述基座200用于承载晶圆； 所述工艺组件300包括沉积环310，所述沉积环310设于所述基座200的外侧； 所述工艺腔室还包括加热组件400，所述加热组件400设于所述腔体100内，用于对所述沉积环310的至少部分区域进行加热，以熔化所述沉积环310处的沉积材料500； 所述加热组件400包括设于所述腔体100的侧壁的加热器410，所述加热器410设计为可活动的形式，用于向所述沉积环310的至少部分区域发射激光或电磁波。
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