北京北方华创微电子装备有限公司韩为鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119040818B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310620479.8，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权工艺腔室及半导体工艺设备是由韩为鹏设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体装备领域。一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，所述工艺腔室包括：腔体、基座、沉积环、遮挡环和第一升降装置；所述基座、所述沉积环和所述遮挡环均设于所述腔体内，所述沉积环环绕所述基座设置，所述遮挡环可升降地设于所述腔体的内衬，且所述遮挡环的至少部分延伸至所述基座的边缘区域；所述第一升降装置包括多个第一升降件，多个所述第一升降件分别与所述遮挡环连接，用于带动所述遮挡环靠近或远离所述基座用于承载晶圆的承载面。本申请能够解决晶背或晶圆正面边缘处薄膜厚度不一致等问题。
本发明授权工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种工艺腔室，应用于半导体工艺设备，其特征在于，所述工艺腔室包括：腔体100、基座200、沉积环300、遮挡环400和第一升降装置500； 所述基座200、所述沉积环300和所述遮挡环400均设于所述腔体100内，所述沉积环300环绕所述基座200设置，所述遮挡环400可升降地设于所述腔体100的内衬110，且所述遮挡环400的至少部分延伸至所述基座200的边缘区域； 所述第一升降装置500包括多个第一升降件510，多个所述第一升降件510分别与所述遮挡环400连接，用于带动所述遮挡环400靠近或远离所述基座200用于承载晶圆的承载面210。
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