北京北方华创微电子装备有限公司王启飞获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利外延生长方法、尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119040853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310622848.7，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权外延生长方法、尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法是由王启飞设计研发完成，并于2023-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本外延生长方法、尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种选择性外延生长方法、掩膜图案尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法，属于半导体加工技术领域。所公开的选择性外延生长方法包括输送第一气体至工艺腔室内，以使第一气体吸附于基底的表面，基底上形成有沟槽，第一气体在基底的顶面、沟槽的底面和侧壁上均形成第一分子层；利用第一等离子体轰击顶面和底面，以清除顶面和底面上的第一分子层；输送第三气体至工艺腔室内，以使第三气体吸附于顶面、底面和侧壁，以在顶面、底面和侧壁上均形成第二分子层，且剩余的第一分子层和第二分子层反应，以在侧壁上生成目标膜层；利用第二等离子体轰击顶面和底面，以清除顶面和底面上的第二分子层。
本发明授权外延生长方法、尺寸补偿方法及形成掩膜图案的方法在权利要求书中公布了：1.一种选择性外延生长方法，其特征在于，包括： 输送第一气体至工艺腔室内，以使所述第一气体吸附于基底100的表面，所述基底100上形成有沟槽，所述第一气体在所述基底100的顶面130、所述沟槽的底面110和侧壁120上均形成第一分子层210； 利用第一等离子体310轰击所述顶面130和所述底面110，以清除所述顶面130和所述底面110上的所述第一分子层210； 输送第三气体至所述工艺腔室内，以使所述第三气体吸附于所述顶面130、所述底面110和所述侧壁120，以在所述顶面130、所述底面110和所述侧壁120上均形成第二分子层220，且剩余的所述第一分子层210和所述第二分子层220反应，以在所述侧壁120上生成目标膜层200； 利用第二等离子体320轰击所述顶面130和所述底面110，以清除所述顶面130和所述底面110上的所述第二分子层220。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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