中国医科大学附属第一医院;大连医科大学附属第二医院;首都医科大学附属北京友谊医院吴严获国家专利权
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龙图腾网获悉中国医科大学附属第一医院;大连医科大学附属第二医院;首都医科大学附属北京友谊医院申请的专利FUNDC1抑制剂在制备防治皮肤光损伤药物中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119074924B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411099059.0，技术领域涉及：A61K45/00；该发明授权FUNDC1抑制剂在制备防治皮肤光损伤药物中的应用是由吴严;何海伦;黄文越;孙培宏;王一冲;杨月娇;禚风麟设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本FUNDC1抑制剂在制备防治皮肤光损伤药物中的应用在说明书摘要公布了：本发明涉及FUNDC1抑制剂在制备防治皮肤光损伤药物中的应用，其中，FUNDC1抑制剂通过抑制或降低FUNDC1的表达来缓解、减轻或防治皮肤光损伤。本发明通过UVB照射小鼠皮肤和HaCaT细胞来建立光损伤模型，UVB处理后显示FUNDC1表达下调，鉴于FUNDC1过表达加剧了UVB诱导的光损伤，本发明探索了敲减FUNDC1是否能够保护HaCaT细胞和小鼠模型免受UVB诱导的光损伤，在FUNDC1敲减后，细胞存活率提高至80％，与UVB组相比，ROS水平、凋亡和γH2Ax表达减少；在UVB照射后，FUNDC1敲减同样减轻了线粒体损伤，表现为线粒体分布沿细胞核均匀分布、线粒体膜电位复极化和mtROS积累减少。本发明提出干预FUNDC1介导的线粒体自噬通过调控线粒体凋亡途径可以保护UVB诱导的线粒体损伤和光损伤，为未来缓解皮肤光损伤提供了潜在的靶点。
本发明授权FUNDC1抑制剂在制备防治皮肤光损伤药物中的应用在权利要求书中公布了：1.FUNDC1抑制剂在制备防治皮肤光损伤药物中的应用，其特征在于，所述FUNDC1抑制剂的序列如SEQIDNO：6或SEQIDNO：7所示。
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