深圳市麦积电子科技有限公司杨九如获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市麦积电子科技有限公司申请的专利一种预稳压电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119088147B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410940786.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种预稳压电路是由杨九如;孙康敏;王春来设计研发完成，并于2024-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种预稳压电路在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种预稳压电路。该预稳压电路包括电压输入端、电压输出端、预稳压输出单元、驱动PMOS管、结型场效应管、调节电阻和地端，电压输入端与驱动PMOS管的栅极和源极连接，电压输出端与驱动PMOS管的漏极和预稳压输出单元的一端连接，结型场效应管的栅极连接地端，结型场效应管的漏极连接驱动PMOS管的栅极，结型场效应管的源极连接调节电阻的一端，调节电阻的另一端和预稳压输出单元的另一端均连接地端。本申请可实现降低整体电路的静态功耗。
本发明授权一种预稳压电路在权利要求书中公布了：1.一种预稳压电路，其特征在于，包括电压输入端、电压输出端、预稳压输出单元、驱动PMOS管、结型场效应管、调节电阻和地端，所述电压输入端与所述驱动PMOS管的源极连接，所述电压输出端与所述驱动PMOS管的漏极和所述预稳压输出单元的一端连接，所述结型场效应管的栅极连接地端，所述结型场效应管的漏极连接所述驱动PMOS管的栅极，所述结型场效应管的源极连接所述调节电阻的一端，所述调节电阻的另一端连接地端； 所述预稳压电路还包括第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管和第二PMOS管，所述第一NMOS管的栅极连接自身的漏极、所述第二NMOS管的栅极和所述预稳压输出单元的另一端，所述第一NMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极均连接地端，所述第二NMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的漏极，所述第一PMOS管的栅极连接自身的漏极和所述第二PMOS管的栅极，所述第一PMOS管的源极和所述第二PMOS管的源极均连接所述电压输入端，所述第二PMOS管的漏极连接所述驱动PMOS管的栅极。
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