泉州三安半导体科技有限公司杨欣欣获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119092610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411204386.8,技术领域涉及:H10H20/813;该发明授权一种发光二极管及发光装置是由杨欣欣;韩涛;谢昆达;周弘毅;邓有财;蔡家豪;陈铭欣;张家豪;张中英设计研发完成,并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了:本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管的半导体叠层具有第一发光区、第二发光区、以及设置于第一发光区和第二发光区的间隔区,第一发光区与第一电极以及与第二电极电连接,第二发光区与第二电极以及与第三电极电连接,第一发光区和第二发光区共用第二电极,且第一发光区和第二发光区的发光亮度不同。第一电极和第三电极单独控制,实现对第一发光区和第二发光区的单独控制;同时由于单个发光二极管中包含两个单独控制的发光区,能够减少5%至30%的容量,有利于发光二极管应用于设备时的集成化和小型化;第一发光区和第二发光区的发光亮度不同,在一个发光二极管中即可实现高低亮度的动态切换,有助于实现更加紧凑和高效的照明。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了:1.一种发光二极管,其特征在于,至少包括半导体叠层,所述半导体叠层包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层; 其中,所述半导体叠层具有第一发光区、第二发光区、以及设置于所述第一发光区和所述第二发光区之间的间隔区,所述第一发光区与第一电极以及与第二电极电连接,所述第二发光区与所述第二电极以及与第三电极电连接,且所述第一发光区和所述第二发光区的发光亮度不同; 对应所述第一发光区,所述第二半导体层背离所述有源层的表面依次叠置导电层、第一绝缘层和反射层,所述第一绝缘层中设置有至少一个通孔,所述反射层叠置于所述第一绝缘层背离所述导电层的表面并设置于所述通孔内,所述反射层与所述导电层电连接; 对应所述第二发光区,所述第二半导体层背离所述有源层的表面依次叠置所述导电层和所述反射层; 所述反射层下方设置电性连接层,所述电性连接层的上表面未被所述半导体叠层覆盖的区域设置有所述第一电极和所述第三电极; 所述第二电极设置于所述电性连接层的下方。
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