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龙图腾网获悉苏州冠礼科技有限公司申请的专利一种晶圆校正装置及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170538B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411678641.2，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种晶圆校正装置及控制方法是由黄自柯;纪心宇;林生海设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆校正装置及控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及晶圆加工技术领域，且特别涉及一种晶圆校正装置，包括底座、拉伸单元和控制器，其中，所述底座包括一置料平面，该置料平面被配置用以放置晶圆，因此，底座本身应安装在一水平面上，且置料平面也应与水平面平行。该晶圆校正装置，通过设置在底座内且包括了可在垂直方向移动的吸附组件以及与之连通的真空发生器的拉伸单元，实现了对晶圆翘曲部位的直接校正，有效解决了现有技术中仅依赖材料改进、工艺参数调整和设备调整无法完全消除晶圆翘曲的问题，并且，因吸附组件能够受控地垂直移动，使得翘曲区域能被精准矫正，并通过控制器与真空发生器的连接，实现负压环境的动态调节，使得该装置能够在半导体制造过程中对翘曲晶圆进行动态校正。

本发明授权一种晶圆校正装置及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆校正装置的控制方法，其特征在于： 所述晶圆校正装置包括： 底座，所述底座包括一置料平面，用于放置晶圆，所述底座在所述置料平面侧开设有第一容置空间，所述第一容置空间的延伸方向被定义为第一方向，所述第一方向与所述置料平面垂直； 拉伸单元，设置在所述第一容置空间内，包括： 吸附组件，所述吸附组件受控地在所述第一方向上移动，所述吸附组件包括： 负载件，设置在第一伸缩件的第一活动端处； 真空吸盘，设置在所述负载件背离所述第一伸缩件的一侧，所述真空吸盘与第一连接部连接，使所述真空吸盘与真空发生器连通；及 真空发生器，所述真空发生器与所述吸附组件连通；控制器，所述控制器与所述真空发生器连接； 并且，每个所述拉伸单元均包括至少两个所述吸附组件，所述拉伸单元中的各所述真空吸盘均与所述拉伸单元中的所述真空发生器连接，真空吸盘与所述真空发生器之间设有切换阀，以实现所述吸附组件中不同所述真空吸盘之间的切换；其中，所述拉伸单元中的各所述真空吸盘分为高压吸盘组和低压吸盘组设置，所述控制器配置为控制所述低压吸盘组用于吸附晶圆的易损区域，控制所述高压吸盘组用于吸附晶圆的可吸附区域； 所述吸附组件还包括真空检测器，所述真空检测器与所述控制器连接，用于检测吸附过程中吸附区域处的真空度； 其中，所述晶圆校正装置处于工作状态时，所述吸附组件与置于所述置料平面上的晶圆表面相吸附，且所述吸附组件受控地沿所述第一方向移动，以令晶圆与所述吸附组件相吸附的部位在所述第一方向上发生形变； 所述晶圆校正装置还包括视觉识别组件，所述视觉识别组件与所述控制器连接，所述底座在所述置料平面侧开设有若干所述第一容置空间，各所述第一容置空间内均设有所述拉伸单元； 所述控制方法，包括： 获取置于所述置料平面上的晶圆的第一检测数据，所述第一检测数据是通过所述视觉识别组件针对置于所述置料平面上的晶圆检测而得出的晶圆在所述第一方向上的高度差数据； 根据所述第一检测数据确定置于所述置料平面上的晶圆的翘曲位置； 根据置于所述置料平面上的晶圆的翘曲位置确定与之位置对应的所述拉伸单元； 向对应位置的所述拉伸单元发送第一控制信号，所述第一控制信号用于触发对应位置的所述拉伸单元中的驱动组件带动所述拉伸单元在所述第一方向上移动，以使对应位置的所述拉伸单元中的所述吸附组件与晶圆表面接触； 向对应位置的所述拉伸单元发送第二控制信号，所述第二控制信号用于触发对应位置的所述拉伸单元中的所述真空发生器，以使对应位置的所述拉伸单元中的所述吸附组件与晶圆进行吸附； 向对应位置的所述拉伸单元发送第三控制信号，所述第三控制信号用于触发对应位置的所述拉伸单元中的所述驱动组件拉动或推动晶圆的翘曲部位朝预设平面移动； 获取置于所述置料平面上的晶圆的第二检测数据，所述第二检测数据是通过所述视觉识别组件针对置于所述置料平面上的被校正后的晶圆检测而得出的晶圆在所述第一方向上的高度差数据； 若第二检测数据未处于预设区间内，则根据第二检测数据再次确定所述置料平面上的晶圆的翘曲位置，并向对应位置的所述拉伸单元再次发送第一控制信号、第二控制信号和第三控制信号，以使对应位置的拉伸单元重复校正动作，直至第二检测数据处于所述预设区间内； 若第二检测数据在预设区间内，则向对应位置的所述拉伸单元发送第四控制信号，所述第四控制信号用于使对应位置的所述拉伸单元停止运行； 其中，在所述向对应位置的所述拉伸单元发送第二控制信号，所述第二控制信号用于触发对应位置的所述拉伸单元中的所述真空发生器，以使对应位置的所述拉伸单元中的所述吸附组件与晶圆进行吸附后，还包括如下步骤： 获取第一真空检测数据和第二真空检测数据，所述第一真空检测数据是通过所述真空检测器对对应位置的所述吸附组件与晶圆吸附处检测而得出的真空度数据，所述第二真空检测数据是经过预设时间后通过所述真空检测器对对应位置的所述吸附组件与晶圆吸附处检测而得出的真空度数据； 判断所述第一真空检测数据与所述第二真空检测数据的差值是否超过预设值； 若所述第一真空检测数据与所述第二真空检测数据的差值超过预设区间，晶圆上被对应位置的所述拉伸单元中的所述吸附组件笼罩的区域为易损区域，向与所述易损区域对应的所述拉伸单元发送第五控制信号，所述第五控制信号用于触发与所述易损区域对应的所述拉伸单元中的低压吸盘组与晶圆吸附，以使与所述易损区域对应的吸附空间内的真空度下降； 若所述第一真空检测数据与所述第二真空检测数据的差值低于预设区间或在预设区间以内，晶圆上被对应位置的所述拉伸单元中的高压吸盘组笼罩的区域为可吸附区域，维持高压吸附状态。

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