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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利基于双脉冲源的溅射沉积光学薄膜方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119265509B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411245832.X，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权基于双脉冲源的溅射沉积光学薄膜方法及装置是由谢建成;王姗姗;郝群设计研发完成，并于2024-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于双脉冲源的溅射沉积光学薄膜方法及装置在说明书摘要公布了：本发明公开的一种基于双脉冲源的溅射沉积光学薄膜方法及装置，属于光学制造中的光学薄膜制造技术领域。本发明针对不同基底和靶材，调节相应的沉积参数，实现多种光学薄膜的沉积制备；双脉冲源分为主源和辅源，主脉冲源产生的高能量荷能粒子轰击靶材表面，在靶材表面的几个原子层内发生级联碰撞，粒子与靶材发生能量交换，当靶材原子获得足够的能量克服自身的原子势垒后，离开靶材表面，沉积在基底表面形成薄膜，辅脉冲源产生的高能粒子轰击正在生长的薄膜表面，膜料分子与高能粒子发生能量和动量转移而获得较大动能，使得薄膜附着性增强，表面排布更加致密。本发明能够实现多中光学薄膜制备，同时还能提高光学薄膜的填充密度和使用性能。

本发明授权基于双脉冲源的溅射沉积光学薄膜方法及装置在权利要求书中公布了：1.基于双脉冲源的溅射沉积光学薄膜方法，其特征在于：脉冲源分为主源和辅源，主脉冲源产生的高能量、高动量的荷能粒子轰击靶材表面，在靶材表面的几个原子层内发生级联碰撞，粒子与靶材发生能量交换，当靶材原子获得足够的能量克服自身的原子势垒后，离开靶材表面；辅脉冲源能给溅射出来的靶材原子提供二次能量，以使靶材原子运动到基底上形成光学薄膜；同时，辅脉冲源提供的二次能量能够使薄膜附着性增强，表面靶材分子排布更加致密；基于辅脉冲源的二次能量提供提高光学薄膜的填充密度和折射率，使得薄膜的水汽吸收减小，薄膜波长漂移减小，膜层的吸收和散射效应相应减小；基于基底曲率半径的调控控制膜层的应力σ，如下公式所示： 式中E表示基底的杨氏模量；d表示光学薄膜厚度；v表示靶材的泊松比；Rp表示基底沉积薄膜后的曲率半径；R0表示基底沉积薄膜前的曲率半径； 根据式234，由光学薄膜所需达到的光学特性决定膜层沉积的光学厚度d： 式中R表示膜层反射率；δ表示膜层位相厚度；n0-2分别依次表示空气、膜层和基底的折射率；λ表示波长；m为极值点个数。

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