中微半导体设备(上海)股份有限公司张辉获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利气体喷淋头、气相沉积设备及其使用方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119307886B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310862480.1,技术领域涉及:C23C16/455;该发明授权气体喷淋头、气相沉积设备及其使用方法是由张辉;陆顺开;许灿;吴红星设计研发完成,并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本气体喷淋头、气相沉积设备及其使用方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种气体喷淋头、气相沉积设备及其使用方法,气体喷淋头包括:气体分配板,其上设有互相交替排布且同心设置的第一输送通道和第二输送通道;盖板上的第一气体连通通道跨过第二输送通道连通相邻的两个第一输送通道;第二气体连通通道跨过第一输送通道连通相邻的两个第二输送通道;第一输送通道的第一入口端,用于输送第一气体;第一低压源用于向第一出口端处提供低压;第二入口端用于输送第二气体;第二低压源用于向第二出口端处提供低压;第一输送通道和第二输送通道下方设有气孔。本发明提供的气体喷淋头既能被快速换气,防止两种反应气体在所述气体喷淋头中混合,又能向基片提供均匀的反应气体。
本发明授权气体喷淋头、气相沉积设备及其使用方法在权利要求书中公布了:1.一种气体喷淋头,其特征在于,包括: 气体分配板,所述气体分配板上设有气体输送通道,所述气体输送通道包括多个第一输送通道和多个第二输送通道,所述多个第一输送通道和所述多个第二输送通道互相交替排布且同心设置; 盖板,其盖合在所述气体分配板上,所述盖板上设有气体连通通道,所述气体连通通道包括多个第一气体连通通道和多个第二气体连通通道; 所述第一气体连通通道跨过所述第二输送通道连通相邻的两个第一输送通道; 所述第二气体连通通道跨过所述第一输送通道连通相邻的两个第二输送通道; 与所述第一输送通道连通的第一入口端,用于向所述第一输送通道内输送第一气体; 第一低压源,与所述第一输送通道的第一出口端连通,用于向所述第一出口端处提供低压; 与所述第二输送通道连通的第二入口端,用于向所述第二输送通道内输送第二气体; 第二低压源,与所述第二输送通道的第二出口端连通,用于向所述第二出口端处提供低压; 所述第一输送通道和所述第二输送通道下方设有多个气孔,所述气孔用于向待处理基片的表面供应反应气体。
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