京东方华灿光电(浙江)有限公司田宇航获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方华灿光电(浙江)有限公司申请的专利发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317280B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411157688.4，技术领域涉及：H10H29/14；该发明授权发光二极管及其制备方法是由田宇航;王佳;魏柏林;游云梦;芮哲;马国强设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。发光二极管包括：外延结构、银镜结构、绝缘结构、第一电极和第二电极。第一电极和第二电极包括依次层叠的第一接触层、第一反射层、包裹层、第二反射层、第一粘附层、反射层保护层、第二粘附层、电极保护层和第二接触层。其中，反射层保护层用于保护第一反射层和第二反射层，避免第一反射层和第二反射层的中活泼的反射金属和焊盘中的Au等金属反应，并且由于反射层保护层的材料熔点高于第一反射层和第二反射层的材料熔点，能够使得发光二极管在工作时即使温度较高，也不会发生熔化，保护性能更稳定。避免了绝缘结构破裂造成的短路，提高了LED良率。
本发明授权发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括：外延结构10、银镜结构20、绝缘结构30、第一电极108和第二电极110； 所述外延结构10呈台阶结构116，所述银镜结构20位于所述外延结构10表面；所述第一电极108位于所述银镜结构20表面，所述第二电极110与所述台阶结构116的台阶面连接；所述绝缘结构30覆盖所述台阶结构116、所述银镜结构20、所述第一电极108和所述第二电极110； 所述第一电极108和所述第二电极110包括依次层叠的第一接触层201、第一反射层202、包裹层203、第二反射层204、第一粘附层205、反射层保护层206、第二粘附层207、电极保护层208和第二接触层209，所述反射层保护层206的材料的熔点高于所述第一反射层202的材料的熔点，所述反射层保护层206的材料的熔点高于所述第二反射层204的材料的熔点。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人京东方华灿光电(浙江)有限公司，其通讯地址为：322000 浙江省金华市义乌市苏溪镇苏福路233号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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