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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利量子发光体偶极结构及取向的表征系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119394979B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411317747.X，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权量子发光体偶极结构及取向的表征系统和方法是由唐建伟;田朝华;王志远;马天梓;陈学文设计研发完成，并于2024-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本量子发光体偶极结构及取向的表征系统和方法在说明书摘要公布了：本发明涉及量子发光体表征技术领域，公开了一种量子发光体偶极结构及取向的表征系统和方法。表征系统包括量子发光体样品固定组件，荧光激发、荧光探测及荧光寿命测量组件，扫描近场光学探针组件，扫描近场光学探针控制组件和数据处理模块。扫描近场光学探针组件在待测量子发光体周围进行三维空间扫描，得到Purcell因子分布，并与任意偶极结构及取向参数下数值仿真模拟得到的Purcell因子分布比较，拟合得到待测量子发光体的三维偶极结构及取向参数。本发明提出的表征方案是一种基于荧光寿命信息的近场表征方案，相比于传统的基于荧光强度信息的远场表征方案，具有更好的鲁棒性和更高的分辨率，可以更精确地表征量子发光体的三维偶极参数。

本发明授权量子发光体偶极结构及取向的表征系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种量子发光体偶极结构及取向的表征系统，其特征在于，包括： 量子发光体样品固定组件，用于固定待测量子发光体样品； 荧光激发、荧光探测及荧光寿命测量组件，用于激发待测量子发光体、探测量子发光体荧光以及分析量子发光体荧光寿命； 扫描近场光学探针组件，用于在量子发光体周围进行三维空间扫描，通过Purcell效应使待测量子发光体的荧光寿命发生变化，记录各个扫描空间位置点处对应的荧光寿命，得到荧光寿命分布；所述扫描近场光学探针组件包括介质纳米针尖和位于介质纳米针尖端面上的金属纳米结构；所述位于介质纳米针尖端面上的金属纳米结构为球形金属纳米颗粒，所述金属纳米颗粒通过化学粘附剂装载到所述介质纳米针尖端面上； 扫描近场光学探针控制组件，用于控制所述扫描近场光学探针组件在待测量子发光体样品周围作三维空间移动； 数据处理模块，发挥以下作用：对实验得到的荧光寿命分布数据进行处理，得到Purcell因子分布；数值仿真模拟待测量子发光体为任意偶极结构及取向参数时的Purcell因子分布；通过拟合确定偶极结构及取向参数，使数值仿真模拟的Purcell因子分布与实验测得的Purcell因子分布最相符。

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