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龙图腾网获悉广州大学申请的专利CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119414116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411517473.9，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算方法及系统是由杨汝;周乐保;杨红;揭海;易铭健;陈健玮;欧嘉鸣;范炜豪设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算方法及系统，包括：构建利兹线内部磁场强度模型，根据利兹线内部磁场强度模型确定圆形利兹线磁场强度的极坐标表达式；确定CLLC谐振电路的一次侧电流有效值和二次侧电流有效值；确定邻近效应损耗表达式，根据极坐标表达式、一次侧电流有效值、二次侧电流有效值以及邻近效应损耗表达式计算得到CLLC谐振电路原副边的邻近效应损耗值；确定趋肤效应损耗表达式，根据极坐标表达式、一次侧电流有效值、二次侧电流有效值以及趋肤效应损耗表达式计算得到CLLC谐振电路原副边的趋肤效应损耗值。本发明提高了CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算的精确性，可应用于电路测量技术领域。

本发明授权CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种CLLC谐振电路圆形利兹线绕组损耗计算方法，其特征在于，包括以下步骤： 构建利兹线内部磁场强度模型，根据所述利兹线内部磁场强度模型确定圆形利兹线磁场强度的极坐标表达式； 确定目标CLLC谐振电路的一次侧电流有效值和二次侧电流有效值； 确定邻近效应损耗表达式，根据所述极坐标表达式、所述一次侧电流有效值、所述二次侧电流有效值以及所述邻近效应损耗表达式计算得到所述目标CLLC谐振电路原副边的邻近效应损耗值； 确定趋肤效应损耗表达式，根据所述极坐标表达式、所述一次侧电流有效值、所述二次侧电流有效值以及所述趋肤效应损耗表达式计算得到所述目标CLLC谐振电路原副边的趋肤效应损耗值； 所述邻近效应损耗表达式为： 其中，表示邻近效应损耗值，D表示波形占空比，Bp表示正弦波磁场的幅值，f表示磁场变化的频率，表示圆形利兹线导体的长度，表示圆形利兹线导体的直径，σ表示导线电导率； 所述趋肤效应损耗表达式为： 其中，表示趋肤效应损耗值，r表示圆形利兹线内部各点与圆形利兹线中心的距离，𝜃表示圆形利兹线内部各点与圆形利兹线中心连成的线段与x轴之间的夹角； 所述邻近效应损耗值通过下式计算得到： 其中，表示目标CLLC谐振电路原边的邻近效应损耗值，表示目标CLLC谐振电路副边的邻近效应损耗值，表示目标CLLC谐振电路的输出电压，N表示变压器变比，Lm表示励磁电感，R0表示负载电阻,表示电路工作频率，表示真空磁导率，hw表示圆形利兹线绕组所构成的高度，n表示圆形利兹线绕组每层圆形利兹线的匝数，rLitz表示圆形利兹线绕组的半径，k表示圆形利兹线的层数； 所述趋肤效应损耗值通过下式计算得到： 其中，表示目标CLLC谐振电路原边的趋肤效应损耗值，表示目标CLLC谐振电路副边的趋肤效应损耗值，表示目标CLLC谐振电路的输出电压，N表示变压器变比，Lm表示励磁电感，R0表示负载电阻,表示电路工作频率，hw表示圆形利兹线绕组所构成的高度，n表示圆形利兹线绕组每层圆形利兹线的匝数，rLitz表示圆形利兹线绕组的半径。

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