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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利进气装置及半导体设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119433507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310980357.X，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权进气装置及半导体设备是由顾世海;杨牧龙;孙中岳设计研发完成，并于2023-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本进气装置及半导体设备在说明书摘要公布了：本发明提供一种进气装置及半导体设备。其中，进气装置包括匀流结构和气体分配结构；匀流结构包括多个环形匀流腔以及与各环形匀流腔对应连通的多个进气管道；各环形匀流腔在径向上的外环侧面具有均匀分布的多个第一出气孔；气体分配结构包括与环形匀流腔同轴设置的多个环形配气腔；多个第二出气孔非均匀地分布在对应的环形配气腔外周面。而且气体分配结构能够在第一位置和第二位置之间移动；在第一位置时，气体分配结构环绕在匀流结构的外周，各环形配气腔的进气端与第一出气孔密封连通，以通过第二出气孔非均匀地出气；在第二位置时，气体分配结构与匀流结构的外周面错开，以使第一出气孔暴露在半导体工艺腔室中，以实现均匀出气。

本发明授权进气装置及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种进气装置，应用于半导体工艺腔室；其特征在于，包括匀流结构和气体分配结构；其中， 所述匀流结构包括同轴设置的多个环形匀流腔以及与各所述环形匀流腔对应连通的多个进气管道；所述多个环形匀流腔均沿所述环形匀流腔的轴线层叠设置，各所述环形匀流腔在径向上的外环侧面具有均匀分布的多个第一出气孔； 所述气体分配结构包括与所述环形匀流腔同轴设置的多个环形配气腔，多个所述环形配气腔沿所述环形匀流腔的轴线层叠设置；所述多个环形配气腔与所述多个环形匀流腔一一对应；所述气体分配结构具有与各所述环形配气腔分别连通的多个第二出气孔，所述多个第二出气孔非均匀地分布在对应的所述环形配气腔外周面上；各所述环形配气腔的进气端位于其内周面上； 所述气体分配结构能够沿所述环形匀流腔的轴线在第一位置与第二位置之间进行移动； 当所述气体分配结构位于所述第一位置时，所述气体分配结构环绕设置在所述匀流结构的外周，且各所述环形配气腔的进气端与对应的所述环形匀流腔的所述第一出气孔密封连通；当所述气体分配结构位于所述第二位置时，所述气体分配结构与所述匀流结构的外周面错开，以使各所述环形匀流腔的所述第一出气孔暴露在所述半导体工艺腔室中。

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