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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446874B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310961648.4，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权半导体工艺腔室及半导体工艺设备是由薛宝达;简师节;郑建宇;李补忠设计研发完成，并于2023-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺腔室及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体工艺腔室及半导体工艺设备，涉及半导体领域。一种半导体工艺腔室包括：腔体、承载组件和连接组件；承载组件包括多个第一承载件和多个第二承载件，其中一个第一承载件与相邻的第二承载件相互间隔形成工艺空间，第一承载件设有多个馈入端，第二承载件设有多个接地端；连接组件包括连接条、多个弹性部件、多个射频连接块和多个接地连接块，连接条包括多个并联的分支端；多个射频连接块通过一部分弹性部件分别与多个分支端连接；每个第一承载件的多个馈入端分别与多个射频连接块连接，每个第二承载件的多个接地端分别与多个接地连接块连接。本申请能够解决当前PECVD设备由于驻波效应影响设备成膜均匀性等问题。

本发明授权半导体工艺腔室及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括：腔体100、设于所述腔体100内的承载组件200，以及延伸至所述腔体100内并与所述承载组件200连接的连接组件300； 所述承载组件200包括多个第一承载件210和多个第二承载件220，其中一个所述第一承载件210与相邻的所述第二承载件220相互间隔形成工艺空间，每个所述第一承载件210设有多个馈入端211，每个所述第二承载件220设有多个接地端221； 所述连接组件300包括连接条310、多个弹性部件320、多个射频连接块330和多个接地连接块340，所述连接条310包括多个并联的分支端311，所述连接条310用于与射频电源连接； 多个所述射频连接块330通过一部分所述弹性部件320分别与多个所述分支端311连接，多个所述接地连接块340用于通过另一部分所述弹性部件320分别接地； 每个所述第一承载件210的多个所述馈入端211分别与多个所述射频连接块330连接，每个所述第二承载件220的多个所述接地端221分别与多个所述接地连接块340连接； 每个所述第一承载件210中相邻两个所述馈入端211之间的距离小于用于与所述连接条310连接的所述射频电源的电尺寸。

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