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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利晶圆承载装置温度控制方法及半导体工艺设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119446978B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535773.X，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权晶圆承载装置温度控制方法及半导体工艺设备是由李爽设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆承载装置温度控制方法及半导体工艺设备在说明书摘要公布了：本发明提供了晶圆承载装置温度控制方法及半导体工艺设备；其中，该方法包括：当工艺腔室执行工艺任务时，获取晶圆承载装置的第一温度；若第一温度满足预设波动条件，控制工艺腔室按照温度控制模式执行工艺任务；在温度控制模式中，根据第二温度、加热温度和预设温度阈值对加热装置进行控制，以使晶圆承载装置的温度保持稳定。该控制方式中，在工艺腔室执行工艺任务中，当晶圆承载装置的第一温度满足预设波动条件时，通过温度控制模式对加热装置进行控制，以使晶圆承载装置的温度保持稳定，从而避免了由于晶圆承载装置温度波动导致的晶圆累温现象，改善了晶圆在工艺过程中的温差过大问题，提高了沉积薄膜的均匀性。

本发明授权晶圆承载装置温度控制方法及半导体工艺设备在权利要求书中公布了：1.一种晶圆承载装置温度控制方法，工艺腔室包括加热装置和所述晶圆承载装置，所述加热装置经所述晶圆承载装置对晶圆进行加热；其特征在于，所述方法包括： 当所述工艺腔室执行工艺任务时，获取所述晶圆承载装置的第一温度； 若所述第一温度满足预设波动条件，控制所述工艺腔室按照温度控制模式执行所述工艺任务； 在所述温度控制模式中，获取所述晶圆承载装置的第二温度和所述加热装置的加热温度，并根据所述第二温度、所述加热温度和预设温度阈值对所述加热装置的状态进行控制，以使所述晶圆承载装置的温度保持稳定； 所述预设温度阈值包括：所述晶圆承载装置对应的承载温度上限值、所述加热装置对应的加热温度下限值；根据所述第二温度、所述加热温度和预设温度阈值对所述加热装置的状态进行控制的步骤，包括： 判断所述第二温度是否小于所述承载温度上限值；若否，控制所述加热装置处于非加热状态； 当所述第二温度小于所述承载温度上限值时，判断所述加热温度是否大于所述加热温度下限值；若否，控制所述加热装置处于加热状态； 当所述加热温度大于所述加热温度下限值时，判断所述工艺腔室是否处于空闲状态；若否，计算所述第二温度和所述加热温度之间的温差，并当所述温差大于预设误差时，控制所述加热装置处于加热状态；或者，当所述温差不大于所述预设误差时，控制所述加热装置处于非加热状态。

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