兰州空间技术物理研究所汪科良获国家专利权
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龙图腾网获悉兰州空间技术物理研究所申请的专利一种具有长磨损寿命含氢非晶碳薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119465051B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411593201.7，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种具有长磨损寿命含氢非晶碳薄膜及其制备方法是由汪科良;张凯锋;周晖;冯兴国;历健;万志华;郝宏;苟世宁;曹珍;王海云设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有长磨损寿命含氢非晶碳薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有长磨损寿命含氢非晶碳薄膜及其制备方法，属于复合材料制备领域。长磨损寿命a‑C:H薄膜包括基底、以及在基底表面自下而上形成的Ti过渡层、TiN阻氢层、TiCHx储氢层、TiCH过渡层和含氢a‑C层。通过Ti过渡层与金属基底之间的连接过渡，实现含氢DLC薄膜与金属基底之间的强结合。通过沉积TiN阻氢层，阻止TiCHx储氢层中氢原子向基底方向扩散流失。通过沉积TiCHx储氢层，利用Ti的储氢特性实现氢原子的固定和储存，在薄膜工作过程中向表层含氢a‑C层提供氢原子。通过沉积TiC过渡层，实现TiCHx储氢层与含氢a‑C层之间的连接过渡，提高相容性，实现良好结合。
本发明授权一种具有长磨损寿命含氢非晶碳薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有长磨损寿命含氢非晶碳薄膜，其特征在于： 该薄膜包括基底、Ti过渡层、TiN阻氢层、TiCHx储氢层、TiCH过渡层和含氢a-C层； 所述Ti过渡层在基底的表面，通过真空磁控溅射技术制备而成； 所述TiN阻氢层在Ti过渡层的表面，通过真空磁控溅射技术而成； 所述TiCHx储氢层在TiN阻氢层的表面，通过真空磁控溅射技术制备而成； 所述TiCH过渡层在TiCHx储氢层的表面，通过真空磁控溅射技术制备而成； 所述含氢a-C层在TiCH过渡层的表面，通过真空磁控溅射技术制备而成； 所述基底为金属基底； 所述薄膜的总厚度为2.00-2.30μm； 所述薄膜真空环境下摩擦系数小于0.02。
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