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龙图腾网获悉中国航空综合技术研究所;中国特种飞行器研究所申请的专利腐蚀条件下微小缝隙结构电子设备电磁屏蔽性能预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119471118B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411593505.3，技术领域涉及：G01R31/00；该发明授权腐蚀条件下微小缝隙结构电子设备电磁屏蔽性能预测方法是由朱蒙;李明;贾润川;陈宇;王英芹设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本腐蚀条件下微小缝隙结构电子设备电磁屏蔽性能预测方法在说明书摘要公布了：本发明一种腐蚀条件下微小缝隙结构电子设备电磁屏蔽性能预测方法，属于电子设备电磁屏蔽性能预测领域，其包括以下步骤：S1、构建等效电导率的计算公式；S2、搭建具有微小缝隙结构的屏蔽箱体以及多组缝隙结构样品；S3、模拟腐蚀条件，对多组缝隙结构样品进行腐蚀，并对实验数据进行采集。S4、基于步骤S1构建的等效电导率的计算公式计算等效电导率并对电子设备电磁屏蔽性能进行预测。本发明能够实现对屏蔽体微小缝隙结构电导率参数的计算，能够快速评价腐蚀环境下屏蔽箱体微小结构表面电接触状态，同时可进一步近似评价屏蔽箱体电磁屏蔽效能退化情况，为屏蔽体服役寿命的准确评估提供重要依据和手段。

本发明授权腐蚀条件下微小缝隙结构电子设备电磁屏蔽性能预测方法在权利要求书中公布了：1.一种腐蚀条件下微小缝隙结构电子设备电磁屏蔽性能预测方法，其特征在于：其包括以下步骤： S1、构建等效电导率的计算模型如下： ； 式中，为等效电导率；为频率；为磁导率；为实际微小缝隙结构的宽度；为等效微小缝隙结构的宽度；为常数，表示导体中有电流流过的深度与趋势深度之间的倍数；为实测微小缝隙结构的转移阻抗； S2、搭建具有微小缝隙结构的屏蔽箱体以及多组缝隙结构样品，每一组缝隙结构样品包括至少三个缝隙结构样品； S3、模拟腐蚀条件，对多组缝隙结构样品进行腐蚀，并对实验数据进行采集，得到实测微小缝隙结构的转移阻抗，具体包括以下子步骤： S31、模拟腐蚀条件，对多组缝隙结构样品进行腐蚀，具体包括： S311、制作试验用的酸性盐溶液：配置NaCl溶液并搅拌使NaCl溶解，之后加入冰醋酸溶液并再次搅拌，测量pH值达到3.0~3.1后，静止一段时间后再次测量溶液PH值，根据测量结果进行调整使溶液的pH值恒定为3.0； S312、接通盐雾试验箱电源，并将盐雾试验箱温度设置为30±5℃，饱和桶温度设置为40±5℃，并向试验箱和饱和桶内部加水后将步骤S311中调配的pH=3.0的NaCl溶液加入盐雾试验箱； S313、将多组缝隙结构样品依次放入盐雾试验箱，向盐雾试验箱顶部的密封水槽注入清水后密封并向盐雾试验箱供气，同时将盐雾试验箱背部的空气过滤器压力调至1.5±0.1kg，之后打开喷雾开关并将喷雾压力值调至1.0±0.1kg，开始进行试验；试验过程中，设置一定时间的取样与测试间隔，每次腐蚀一定时间间隔后进行取样与测试； S314、取出一组缝隙结构样品后测量转移阻抗并记录，剩余缝隙结构样品放回盐雾试验箱进行下一个时间间隔的腐蚀试验； S32、数据收集与处理：将每组缝隙结构样品的多个样品的转移阻抗取平均值作为实测微小缝隙结构的转移阻抗； S4、利用步骤S1中构建的等效电导率计算模型计算等效电导率并对电子设备电磁屏蔽性能进行预测，具体步骤为： S41、获得腐蚀试验过程中不同腐蚀程度下实测微小缝隙结构的转移阻抗并计算多组等效电导率； S42、将多组等效电导率参数绘制为规律性曲线，数据拟合出电导率随腐蚀时间劣化的性能预测模型，判断屏蔽箱体由于微小缝隙结构性能退化而导致屏蔽效能下降的趋势，若等效电导率下降的幅度超过初始值的50%，则判断屏蔽箱体的屏蔽功能失效；所述性能预测模型基于指数形式进行数据拟合得到，表达式为： ； 式中，为等效电导率，为腐蚀时间； 或者将多组等效电导率参数输入仿真模型对屏蔽箱体的屏蔽性能进行预测。

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