中国科学院微电子研究所李冠楠获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利套刻误差测量方法、装置、存储介质及计算机设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119472177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310993432.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻误差测量方法、装置、存储介质及计算机设备是由李冠楠;石俊凯;陈晓梅;霍树春;刘浩;姜行健;董登峰;周维虎设计研发完成，并于2023-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻误差测量方法、装置、存储介质及计算机设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种套刻误差测量方法、装置、存储介质及计算机设备，涉及半导体激光测量技术领域，其中方法包括：首先沿竖直方向在多个焦点位置对待测套刻标记进行扫描得到扫描图像，然后将扫描图像进行排列以构建三维空间模型，之后在待测套刻标记的中心线两侧分别对三维空间进行垂直剖面处理，获取两个过焦扫描图像并进行差分处理，得到差分图像，最后将差分图像输入至预设深度学习训练模型中，提取套刻标记的结构特征信息，得到套刻标记的套刻误差。上述方法利用差分过焦扫描方法测量相对于中心线两侧的套刻标记的扫描结构信息，通过图像处理及深度学习的方法进行定量分析和解算，实现具有对称结构特征的套刻误差的高精度无损测量。
本发明授权套刻误差测量方法、装置、存储介质及计算机设备在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差测量方法，其特征在于，包括： 确定待测套刻标记，沿竖直方向在多个焦点位置对所述待测套刻标记进行扫描，得到多个扫描图像； 将多个所述扫描图像依据所述多个焦点位置的设置顺序依次进行排列，基于排列后的多个所述扫描图像构建三维空间模型，其中，所述三维空间模型包括所述待测套刻标记的光强信息； 在所述待测套刻标记的中心线两侧分别对所述三维空间进行垂直剖面处理，获取第一过焦扫描图像和第二过焦扫描图像，并对所述第一过焦扫描图像和所述第二过焦扫描图像进行差分处理，得到差分图像； 将所述差分图像输入至预设深度学习训练模型中，提取所述套刻标记的结构特征信息，并基于所述结构特征信息得到所述套刻标记的套刻误差。
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