杭州电子科技大学刘军获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种用于先进封装工艺无源元器件的可缩放模型建模方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119494314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411301899.0,技术领域涉及:G06F30/398;该发明授权一种用于先进封装工艺无源元器件的可缩放模型建模方法是由刘军;汪曾达;周经纬;苏国东设计研发完成,并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于先进封装工艺无源元器件的可缩放模型建模方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种用于先进封装工艺无源元器件的可缩放模型建模方法,该方法基于表征无源元器件机理的数学表达式与等效电路模型,结合工艺信息与设计需求,以模型的物理尺寸参数为自变量,以模型元器件值为应变量,采用泰勒展开多项式给定用于多变量参数拟合的Scalable方程的形式,建立精度高、参数覆盖范围广、可拓展性强的射频集成微系统可缩放模型,有效的解决了当前实现射频集成微系统的先进集成封装工艺中的无源元器件的等效电路模型不全、可缩放模型缺失的问题;该方法还大大缩短了射频集成微系统模型建模耗时,提高了射频集成微系统设计的迭代速度。
本发明授权一种用于先进封装工艺无源元器件的可缩放模型建模方法在权利要求书中公布了:1.一种用于先进封装工艺无源元器件的可缩放模型建模方法,其特征在于,具体步骤包括: 基于工艺信息与设计需求,确定建立的无源元器件可缩放模型所需的可缩放自变量和尺寸范围,并根据对应的可缩放自变量和尺寸范围设计测试件并加工;使用测试件同时建立无源元器件的等效电路模型、校准电磁仿真环境,建立无源元器件的三维电磁仿真环境; 基于测量加工后的测试件,获得测试数据并去嵌;同时,基于校验后的电磁仿真环境对易引起测量误差的元器件进行仿真,将仿真得到的数据补充到去嵌后的测试数据中,以增加测试样本量; 基于对无源元器件的分析,建立对应的物理基等效电路模型的拓扑;基于测试数据或测试数据与补充的易引起测量误差的元器件的EM仿真数据,拟合物理基等效模型,建立Local物理基等效电路模型; 基于无源元器件的分析,给定用于变量参数拟合的Scalable方程的形式,以可缩放尺寸参数为自变量,以Local物理基等效电路模型的元器件值为应变量,拟合用于变量参数拟合的Scalable方程中的待定系数,并得到Scalable方程的拟合决定系数; 若Scalable方程的拟合误差满足要求,则将Scalable方程带入Local物理基等效电路模型中,替换固有的元器件值,建立关于尺寸参数可缩放的无源元器件的Global等效电路模型。
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