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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119497382B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311028137.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置是由陈超;邓璟雯;饶建成;黄振华设计研发完成，并于2023-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置。处理方法包括：提供一基片，包括设置在衬底上的基底层，其具有侧部自顶部表面朝向衬底方向逐渐向外延伸形成的坡度结构，坡度结构上覆盖有截止层，截止层上设有电介质层；开启源射频、偏置射频，通入第一刻蚀气体，刻蚀电介质层，直到第三类孔暴露出截止层；降低偏置射频的功率，使第一类孔、第二类孔和第三类孔的开口发生侧向刻蚀；通入第二刻蚀气体，对第三类孔暴露的截止层进行刻蚀，第二刻蚀气体的流量随刻蚀时间以斜率k线性提高，直到将第三类孔的截止层刻蚀到预设深度。本发明通过对不同深度不同深宽比的通孔中截止层余量地控制，扩大了后续打击截止层制程的工艺窗口。

本发明授权半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的处理方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一基片，所述基片包括设置在衬底上的基底层，所述基底层具有侧部自顶部表面朝向衬底方向逐渐向外延伸形成的坡度结构，所述坡度结构上覆盖有一截止层，所述截止层上设有电介质层； 开启源射频、偏置射频，通入第一刻蚀气体，刻蚀所述电介质层，形成若干不同深度的第一类孔、第二类孔及第三类孔，直到所述第三类孔暴露出所述截止层；其中，第三类孔的深度＞第二类孔的深度＞第一类孔的深度；所述第一刻蚀气体包括碳氟气体； 降低所述偏置射频的功率，使所述第一类孔、第二类孔和第三类孔的开口发生侧向刻蚀到预设时间； 通入第二刻蚀气体，对所述第三类孔暴露的所述截止层进行刻蚀，刻蚀过程中，所述第二刻蚀气体的流量随刻蚀时间以斜率k呈线性提高，直到将所述第三类孔的截止层刻蚀到预设深度，使得第三类孔中的截止层的剩余量不高于第二类孔中截止层的剩余量；所述第二刻蚀气体包括CxHyFz气体，0≤x＜2，y＞0，z≥0。

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