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龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种基于约瑟夫森结的超导量子干涉器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119522033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411626154.1，技术领域涉及：H10N69/00；该发明授权一种基于约瑟夫森结的超导量子干涉器件及其制备方法是由荣亮亮;毛海洋;张国峰;代晓俊;董慧设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于约瑟夫森结的超导量子干涉器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于约瑟夫森结的超导量子干涉器件及其制备方法，通过改进约瑟夫森结的制作工艺，在对光刻胶剥离的过程中，加入有机清洗工艺，使得进行连续堆积形成的侧墙能够被去除，提高了后续沉积的薄膜质量，使得SQUID输出曲线不易发生谐振，提高了SQUID批量制备工艺的良率；本发明在传统的SQUID的基础上，每个约瑟夫森结上额外再串联或并联一个约瑟夫森结，形成具有四个约瑟夫森结的SQUID，从而获得更大的输出电压调制深度，使得SQUID具有更高的灵敏度、更低的噪声和更大的线性范围，使电路不易失锁，不需要添加冗长的偏置线条，不用担心磁通串扰和磁通相干性差等问题，在版图结构设计上也更加简单方便。

本发明授权一种基于约瑟夫森结的超导量子干涉器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于约瑟夫森结的超导量子干涉器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，于所述衬底的表面形成包括依次层叠的第一超导层、绝缘材料层及第二超导层的叠层结构，其中，所述第一超导层具有第一厚度，所述第二超导层具有第二厚度，且所述第一厚度大于所述第二厚度； 基于所述绝缘材料层与所述第二超导层定义约瑟夫森结预结区，刻蚀除所述约瑟夫森结预结区之外的所述绝缘材料层和所述第二超导层，显露部分所述第一超导层； 刻蚀所述约瑟夫森结预结区上的所述第二超导层以在所述绝缘材料层上形成第一超导线条，并刻蚀底电极形成贯穿所述底电极且显露出所述衬底的第一接触孔； 于所述叠层结构的表面上形成图案化的第一钝化层，且所述第一钝化层中包括形成有显露所述第一超导线条的第一开口； 于所述底电极上形成图案化的电阻层，所述电阻层覆盖在所述第一接触孔内的所述第一钝化层上； 于所述底电极上形成图案化的第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述第一接触孔和所述底电极，且所述第二钝化层中包括形成有显露所述电阻层的第二开口； 于所述第一超导线条上以及所述第二开口内形成第三超导层，刻蚀所述第三超导层形成顶电极和第二超导线条，所述第二超导线条与所述第一超导条线条交叉形成所述约瑟夫森结。

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