中国科学院上海微系统与信息技术研究所蔡艳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119535821B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411528559.1，技术领域涉及：G02F1/015；该发明授权一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法是由蔡艳;代德华;王书晓设计研发完成，并于2024-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于电吸收调制器的2.5D3D光电共封装装置及其制备方法，包括锗硅电吸收调制器1。本发明通过面向高性能计算的光互连架构设计、利用波分复用技术拓宽单光纤通道数、多波长下稳定工作的高性能锗硅电吸收调制器设计、带有高质量选择性外延生长的单晶锗硅材料的有源转接板工艺开发，实现面向光IO的高速率、大带宽、小体积的TSV有源硅转接板2.5D3D光引擎。
本发明授权一种基于电吸收调制器的2.5D/3D光电共封装装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于电吸收调制器的2.5D3D光电共封装装置，其特征在于：包括锗硅电吸收调制器1；所述锗硅电吸收调制器1包括硅衬底101、位于所述硅衬底101之上的二氧化硅上包层102；位于所述二氧化硅上包层102之上且被所述二氧化硅上包层102包覆的脊波导112；所述脊波导112中部设有中间脊波导112-1；在所述中间脊波导112-1中部设有P型硅轻掺杂区103和N型硅轻掺杂区104，以及位于所述中间脊波导112-1两端的P型硅重掺杂区105和N型硅重掺杂区106；所述P型硅轻掺杂区103和N型硅轻掺杂区104的中部设有凹槽，所述凹槽的中部设有硅锗波导107以及位于所述硅锗波导107两端的P型锗硅轻掺杂区108和N型锗硅轻掺杂区109；位于所述中间脊波导112-1上方设有TiN加热器110和SiN波导111。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励