中国人民解放军国防科技大学曹荣荣获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种柔性多值氧化铪基铁电电容器及其制备方法、应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562530B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411695739.9，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种柔性多值氧化铪基铁电电容器及其制备方法、应用是由曹荣荣;孙毅;曾琦淼;李清江;王伟;宋兵;陈长林;刘海军;王玺;王义楠;李智炜;刘森;于红旗;李楠;徐晖;刁节涛设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种柔性多值氧化铪基铁电电容器及其制备方法、应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种柔性多值氧化铪基铁电电容器及其制备方法，在弯曲变形状态下仍具有稳定的铁电性，能实现32个存储状态，不仅满足存储池计算对多值存储的需求，还有效解决铁电材料在可穿戴领域应变下难以保持稳定性的难题。
本发明授权一种柔性多值氧化铪基铁电电容器及其制备方法、应用在权利要求书中公布了：1.一种柔性多值氧化铪基铁电电容器，其特征在于：包括：柔性基底、缓冲层、下电极层、介质层和上电极层； 缓冲层位于柔性基底之上； 下电极层位于缓冲层之上； 介质层位于下电极层之上； 上电极层位于所述介质层之上； 所述的柔性基底的材质，选自聚氨酯、热塑性聚氨酯橡胶、聚二甲基硅氧烷、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺中的一种，且厚度为50μm-100μm； 所述的缓冲层的材质，选自氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化硼中的一种，且厚度为100nm-150nm； 所述的下电极层和上电极层的材质，选自氮化钛、氮化钽、铂、金、铱、钨、镍、钌、钯中的至少一种，且厚度为30nm-50nm； 所述的介质层，为掺杂的氧化铪，掺杂元素选自硅、铝、锆、钇、锶、镧、钆中的一种；铪元素与掺杂元素的比例为0.4至0.8，且厚度为9nm-11nm； 所述的柔性多值氧化铪基铁电电容器，具有以下性能指标： 氧化铪基铁电电容器的HfZrO介质层厚度为10nm，剩余极化强度2Pr＞55μCcm2，耐久性超过1010次，保留时间超过106s；在0mm、2mm、4mm、6mm、8mm的弯曲半径下具有相同的性能，并且在2mm的极限弯曲半径下，105次弯曲拉伸循环后保持稳定的性能。
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